基于混合SETMOS结构的超前进位加法器  

作　　者：曲航 刘德州 周海力 侯兴华 

机构地区：[1]中国船舶工业系统工程研究院

出　　处：《电子制作》2019年第17期9-12,共4页Practical Electronics

摘　　要：通过混合SETMOS电路设计来代替环境适应性不高的纯单电子晶体管电路,并在此基础上构建了一种新的混合超前进位加法器。首先利用SETMOS生成几种基础逻辑门,进而基于超前进位加法器的原理组合这些门,通过软件仿真验证最终生成的纳电级加法器电路的效果并将其与微电级的MOS电路进行比较。测试结果证明新的混合SETMOS结构超前进位加法器在正常室温环境下成功实现加法器功能的同时,能够缩小尺寸、功耗与运算时间,从而使得纳米电子逻辑电路初步具备应用于生产实践中的条件。

关 键 词：环境适应性 单电子晶体管 超前进位加法器 逻辑门 正常室温 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学] TP332.21[自动化与计算机技术—计算机系统结构]