IGBT表面MOS结构的研究  

作　　者：赵田[1] 

机构地区：[1]西安电力电子技术研究所

出　　处：《内江科技》2024年第6期35-36,共2页

摘　　要：IGBT即绝缘栅双极型晶体管,作为新一代的全控型电力电子器件已经广泛应用于工业、交通以及军事等诸多领域。日益进步的电力电子技术对功率半导体器件的性能也提出了更高的要求。本文使用计算机仿真软件对IGBT表面MOS结构进行优化设计,结果表明,为了获得最大的通流能力,首先要对MOS的栅宽和栅的间距做最佳匹配,其次是对BJT分量中的P+阱宽度做出合理设计,以期获得较高的抗闩锁能力。

关 键 词：绝缘栅双极型晶体管 MOS结构 功率半导体器件 IGBT 电力电子技术 全控型电力电子器件 计算机仿真软件 BJT 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学]