云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- P-WELL

P-WELL: 作品数：17被引量：78H指数：4; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：伍伟周永辉刘国李磊张晓君更多>>; 相关机构：中国航天电子科技大学湘潭大学杭州电子科技大学更多>>; 相关期刊：《Chinese Physics B》《集成电路应用》《International Journal of Mining Science and Technology》《中国集成电路》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金更多>>

The discrete-imitation modeling concept of the“sucker-rod pump-well-reservoir”system and the optimization of the pumping process: 《Petroleum Research》2024年第4期686-694,共9页Mahammad A.Jamalbayov Nazim A.Valiyev; A new approach to dynamic modeling based on a discrete-imitation concept has been developed.The fundamentals,including terms and principles of the concept,have been explained.The presented concept has been applied to ...; 关键词：Intermittent pumping Pump-well-reservoir system Discrete-imitation modeling Sucker-rod pump OPTIMIZATION

β-Ga_(2)O_(3) junction barrier Schottky diode with NiO p-well floating field rings: 《Chinese Physics B》2023年第12期73-79,共7页何启鸣郝伟兵李秋艳韩照贺松刘琦周选择徐光伟龙世兵; Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos.61925110,U20A20207,62004184,62004186,and 62234007);the Key-Area Research and Development Program of Guangdong Province (Grant No.2020B010174002);the funding support from University of Science and Technology of China (USTC) (Grant Nos.YD2100002009 and YD2100002010);the Fundamental Research Plan (Grant No.JCKY2020110B010);Collaborative Innovation Program of Hefei Science Center,Chinese Academy of Sciences (Grant No.2022HSC-CIP024);the Opening Project of and the Key Laboratory of Nanodevices and Applications in Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics of CAS。; Recently,β-Ga_(2)O_(3),an ultra-wide bandgap semiconductor,has shown great potential to be used in power devices blessed with its unique material properties.For instance,the measured average critical field of the ver...; 关键词：gallium oxide Schottky barrier diode nickel oxide floating field rings

三阱CMOS工艺单粒子闩锁研究: 《中国集成电路》2023年第5期62-65,共4页沈丹丹高国平; 随着数模混合电路在无线应用领域的发展,三阱工艺噪声隔离优点引起设计师的广泛兴趣。RF技术必须把在P-衬底上的模拟、数字和RF电路进行隔离。本文主要讨论三阱(Triple-Well)工艺的电路单粒子闩锁问题。; 关键词：P-WELL Deep-NWELL 单粒子闩锁可靠性

p-well/DNW单光子雪崩二极管保护环的最小化设计（英文）被引量：3: 《红外与毫米波学报》2018年第5期527-532,共6页杨红姣金湘亮; Supported by State Key Program of National Natural Science of China(61233010);National Natural Science Foundation of China(61774129,61704145);Hunan Provincial Natural Science Fund for Distinguished Young Scholars(2015JJ1014); 为了进一步缩小SPAD探测器的尺寸,基于0. 18μm CMOS图像传感器(CIS)工艺对p-well/DNW(deep n-well) SPAD的保护环尺寸进行设计,并制造了不同保护环尺寸的SPAD器件.测试结果表明,保护环尺寸减小到0. 4μm仍然能有效防止器件发生过早边...; 关键词：单光子雪崩二极管(SPAD) 保护环边缘击穿(PEB) 暗计数率(DCR) 光子探测概率(PDP)

LV/HV P-Well BCD[B]芯片工艺技术(2)的制程剖面结构被引量：3: 《集成电路应用》2018年第9期23-27,共5页潘桂忠; 上海市软件和集成电路产业发展专项基金(2009.090027); LV/HV P-Well BCD[B]技术(2)能够实现低压5 V与高压100~700 V(或更高)兼容的BCD工艺。为了便于高低压MOS器件兼容集成,采用源区为硼磷双扩散形成沟道的具有漂移区的偏置栅结构的HV VDMOS器件。改变漂移区的长度,宽度,结深度以及掺杂浓...; 关键词：集成电路制造 HV LDMOS 结构 LV/HV P-WELL BCD[B]芯片结构制程剖面结构

一种干法刻蚀形成高深宽比CIS Deep-P Well IMP掩模的工艺方法的探究: 《集成电路应用》2018年第7期37-41,共5页乔夫龙耿金鹏许鹏凯; 上海市经济和信息化委员会软件和集成电路产业发展专项基金(2015.150204); 为有效提升CIS(CMOS Image Sensor)器件的FWC(Full Well Capacity),需要将更高能量的DWP IMP注入到更小的space pattern区,相比较单一的光刻胶,引入TRL(TriLayer:PR/Si HM/SOC)并使用干刻方法能有效地形成了high-aspect-ratio(高深宽比,...; 关键词：集成电路制造干刻刻蚀 CMOS图像传感器 full WELL capacity 光素性能 HIGH-ASPECT-RATIO Deep P-WELL IMP图案掩模高深宽比 Tri-Layer PR/SiHM/SOC 像素压缩

LV/HV P-Well BCD[B]技术(1)的芯片与制程剖面结构被引量：4: 《集成电路应用》2018年第6期41-45,共5页潘桂忠; 上海市软件和集成电路产业发展专项基金(2009.090027); LV/HV P-Well BCD[B]技术(1)能够实现低压5 V与高压100～700 V(或更高)兼容的BCD工艺。为了便于高低压MOS器件兼容集成,采用源区为硼磷双扩散形成沟道的具有漂移区的偏置栅结构的HV LDMOS器件。改变漂移区的长度,宽度,结深度以及掺杂浓...; 关键词：集成电路制造 HV LDMOS结构 LV/HV P-WELL BCD[B]芯片结构制程剖面结构

LV/HV P-Well BCD[C]芯片与制程剖面结构: 《集成电路应用》2018年第5期42-46,共5页潘桂忠; 上海市软件和集成电路产业发展专项基金(2009.090027); LV/HV P-Well BCD[C]技术能够实现低压5 V与高压100~700 V(或更高)兼容的BCD工艺。为了便于高低压MOS器件兼容集成,采用源区为硼磷双扩散形成沟道的具有漂移区的偏置栅结构的HV LDMOS器件。改变漂移区的长度,宽度,结深度以及掺杂浓度等...; 关键词：集成电路制造工艺偏置栅结构 LV/HV P-WELL BCD[C]芯片结构制程剖面结构

LV/HV P-Well BiCMOS[B]芯片与制程结构: 《集成电路应用》2018年第2期44-48,共5页潘桂忠; 上海市软件和集成电路产业发展专项基金(2009.090027); LV/HV P-Well BiCMOS[B]技术能够实现低压5V与高压100~700V(或更高)兼容的BiCMOS工艺。为了便于高低压MOS器件兼容集成,采用具有漂移区的偏置栅结构的HV MOS器件。改变漂移区的长度,宽度,结深度以及掺杂浓度等可以得到高电压。采用MOS...; 关键词：集成电路制造偏置栅结构 LV/HVP-WellBiCMOS[B]芯片结构制程剖面结构

P-Well BiCMOS[B]芯片与制程剖面结构被引量：6: 《集成电路应用》2017年第10期48-52,共5页潘桂忠; 上海市软件和集成电路产业发展专项基金(2009.090027); P-Well BiCMOS[B]技术能够实现双极型与CMOS元器件兼容的工艺。为了便于集成,采用双极型制程为基础,引入CMOS元器件工艺,在同一硅衬底上实现兼容的BiCMOS[B]工艺。描述BiCMOS[B]集成电路芯片结构设计,工艺与制造技术,采用该技术得到了...; 关键词：集成电路制造工艺 P-WELL BiCMOS[B]器件剖面结构芯片剖面结构制程剖面结构

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