高国平

作品数：3被引量：1H指数：1
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供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
发文主题：电路集成电路电平转换电路反相器接反更多>>
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三阱CMOS工艺单粒子闩锁研究
《中国集成电路》2023年第5期62-65,共4页沈丹丹 高国平 
随着数模混合电路在无线应用领域的发展,三阱工艺噪声隔离优点引起设计师的广泛兴趣。RF技术必须把在P-衬底上的模拟、数字和RF电路进行隔离。本文主要讨论三阱(Triple-Well)工艺的电路单粒子闩锁问题。
关键词：P-WELL Deep-NWELL 单粒子闩锁 可靠性 
电路级热载流子效应仿真研究被引量：1
《电子与封装》2014年第4期42-44,共3页高国平 曹燕杰 周晓彬 陈菊 
随着集成电路制造工艺的不断进步,沟道长度、结深、栅氧厚度等特征尺寸不断减小,而电路的电源电压没有按比例减小,易造成MOSFET的电流-电压特性退化,需要提前在设计阶段加以考虑。对电路长期可靠性问题中的热载流子效应(HCI)进行了仿真...
关键词：热载流子效应 MOSFET IC 
NMOS管Snapback特性ESD仿真模型研究
《电子与封装》2012年第3期36-40,共5页高国平 蒋婷 韩兆芳 孙云华 
随着集成电路特征尺寸的不断缩小,ESD的问题始终困扰着芯片设计师们。文章提出了一种宏模型用于ESD的snapback仿真,它包含一个MOS管、一个NPN晶体管和一个衬底电阻,没有外部的电流源。简化的宏模型没有必要使用行为级的语言,如Verilog-A...
关键词：NMOS SNAPBACK ESD 模型 HICUM Mextram VBIC 
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