韩兆芳

作品数:7被引量:3H指数:1
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供职机构:中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
发文主题:CMOS集成电路闩锁效应HFE光学高压蒸汽更多>>
发文领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>
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考虑载荷共担影响的故障机理损伤累积模型
《自动化应用》2023年第15期186-189,共4页俞晓勇 徐正翔 韩兆芳 
针对连续退化型故障机理,本文提出了一个故障机理损伤累积模型,首先对系统的可靠性建模,然后在部件层考虑载荷的变化,最后在机理层引入损伤量的概念。通过该模型可以描述当载荷发生变化时,故障机理发展速率随之发生的变化。本文在故障...
关键词:连续退化型故障机理 故障机理损伤累积模型 载荷 蒙特卡洛仿真 故障物理 
接口混合集成电路长期工作寿命预计及验证
《电子质量》2023年第3期44-47,共4页韩兆芳 俞晓勇 
寿命试验常被用来评估集成电路等半导体器件的可靠性,为了节约试验时间,常采用加速寿命试验方法去评估集成电路产品的工作寿命。采用基于可靠性手册中器件失效率历史数据和基于失效物理模型两种方法对接口混合集成电路的长期工作寿命进...
关键词:混合集成电路 工作寿命 加速寿命试验 可靠性 
钝化层对高压蒸汽试验中器件参数漂移的影响
《电子与封装》2018年第A01期60-63,共4页韩兆芳 黄峥嵘 
采用Si02钝化层的塑封双极晶体管在EIA/JESD22-A102-C规定的121℃、100%RH、29.7 psi压力的条件试验96 h后,直流增益HFE测试值会有明显的下降,击穿电压BVCEO会略有上升。分析表明高压水汽可以穿透封装和钝化层,造成芯片内部微缺...
关键词:钝化层 双极器件 HFE 高压蒸汽 
薄外延CMOS芯片阱掺杂浓度与击穿电压的关系被引量:1
《电子与封装》2016年第8期37-40,共4页韩兆芳 谢达 乔艳敏 
CMOS电路由于寄生结构的影响,易于发生闩锁效应。主要通过流片实验测试验证,探讨了在外延厚度较薄的情况下阱掺杂浓度与击穿电压之间的关系。提出了在不改变外延厚度、保证芯片抗闩锁性能的前提下,提高CMOS器件击穿电压的方法。
关键词:CMOS集成电路 闩锁效应 外延片 穿通击穿 
工艺阱深对CMOS集成电路抗闩锁性能的影响被引量:2
《电子与封装》2014年第6期45-47,共3页韩兆芳 虞勇坚 
闩锁效应是体硅CMOS电路中最为严重的失效机理之一,而且随着器件特征尺寸越来越小,使得CMOS电路结构中的闩锁效应日益突出。以P阱CMOS反相器和CMOS集成电路的工艺结构为基础,采用可控硅等效电路模型,较为详细地分析了闩锁效应的形成机理...
关键词:P阱 闩锁效应 可控硅 CMOS集成电路 
高压蒸汽对塑封双极器件电参数的影响
《电子与封装》2013年第12期20-22,38,共4页韩兆芳 梁琦 黄峥嵘 
塑封双极晶体管采用EIA/JESD22-A102-C规定的121℃、100%RH、29.7 psi压力的条件试验96 h后,测试发现直流增益HFE会有明显的下降,击穿电压BV CEO会略有上升。开封芯片检查和理论分析表明,高压水汽可以穿透封装,造成芯片内部微缺陷增加,...
关键词:塑封 双极器件 HFE 高压蒸汽 
NMOS管Snapback特性ESD仿真模型研究
《电子与封装》2012年第3期36-40,共5页高国平 蒋婷 韩兆芳 孙云华 
随着集成电路特征尺寸的不断缩小,ESD的问题始终困扰着芯片设计师们。文章提出了一种宏模型用于ESD的snapback仿真,它包含一个MOS管、一个NPN晶体管和一个衬底电阻,没有外部的电流源。简化的宏模型没有必要使用行为级的语言,如Verilog-A...
关键词:NMOS SNAPBACK ESD 模型 HICUM Mextram VBIC 
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