闩锁效应

作品数：77被引量：82H指数：4
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BCD工艺在高压功率驱动电路中的应用
《微处理机》2024年第5期54-56,60,共4页吴会利 林雨佳 孔祥旭 宋博尊 
随着集成电路技术的快速发展,高压功率驱动电路在工业和汽车电子等领域得到广泛应用。为深入理解、开发和掌握先进BCD工艺技术,更好发挥其兼容Bipolar、CMOS和DMOS工艺的优势,通过介绍BCD工艺的特点及其发展历程,结合600 V高压功率驱动...
关键词：BCD工艺 隔离技术 电压转换 功率驱动电路 兼容性 闩锁效应 叉指结构 多晶硅栅 
如何避免静电保护器件发生闩锁效应被引量：1
《质量与可靠性》2023年第2期14-17,共4页杨城 
可控硅(Silicon Controller Rectifier,SCR)技术被广泛用于静电保护器件设计中,其优点是降低了箝位电压(Vclamp),但其特殊的I-V回扫特性容易触发闩锁。通过对闩锁效应原理进行研究,并结合实际的案例分析基于可控硅技术的静电保护器件I-...
关键词：可控硅 回扫 闩锁效应 静电保护器件 
一种高维持电压的新型闩锁免疫双向可控硅
《微电子学》2022年第6期1044-1049,共6页孙浩楠 李浩亮 杨潇楠 
国家自然科学基金资助项目(61874099)
传统DDSCR器件过低的维持电压容易造成闩锁效应。提出了一种新型DDSCR,在传统器件阳极与阴极之间加入了浮空高掺杂的N+与P+有源区,通过P+有源区复合阱内的电子,N+有源区将电流通过器件深处电阻较低SCR路径泄放的方式来解决传统器件维持...
关键词：静电放电 维持电压 双向可控硅 闩锁效应 TCAD仿真 
一种双极型电路在空间单粒子环境下的闩锁效应
《环境技术》2022年第2期84-87,共4页彭克武 钟英俊 江军 付晓君 
本文介绍了一种双极型模拟集成电路在空间单粒子环境下的闩锁效应,打破了双极型器件单粒子闩锁免疫的传统概念,该研究主要针对双极型模拟集成电路多个器件共用一个隔离岛,形成寄生PNP,与隔离岛内NPN管形成了P-N-P-N可控硅(SCR)结构,在...
关键词：双极器件 共用隔离岛 寄生PNP P-N-P-N结构 单粒子闩锁 
IGBT的工作特性及常见失效机理研究被引量：1
《产业科技创新》2022年第2期44-46,共3页陈松柏 
绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)是电力电子设备中的核心器件,被广泛用于轨道牵引、新能源发电、智能电网以及国防军工等领域,IGBT的可靠运行的主要依靠IGBT驱动电路的控制和保护,IGBT驱动保护电路作为控...
关键词：IGBT 动态特性 静态特性 闩锁效应 短路 
一种用于高压防护的新型闩锁免疫LDMOS
《微电子学》2022年第1期77-81,共5页孙浩楠 王军超 李浩亮 张英韬 
国家自然科学基金资助项目(61874099)。
横向双扩散MOSFET(LDMOS)由于其高击穿电压特性而被认为是适合在高压中应用的防止静电放电(ESD)现象的保护器件。在传统结构中,LDMOS的鲁棒性相对较差,这是器件自身固有的不均匀导通特性和Kirk效应导致的。可将可控硅整流器(SCR)嵌入到L...
关键词：静电放电 维持电压 横向双扩散金属氧化物半导体 闩锁效应 TCAD仿真 
航顺HK32MCU闩锁效应问题研究及预防措施
《中国集成电路》2021年第12期86-88,95,共4页刘吉平 郑增忠 
0前言随着航顺HK32MCU芯片在市场上被越来越多工程师选择应用,在实际应用中,有些硬件工程师出于降低成本的考虑,在硬件电路设计时就MCU电源部分设计过于简单;有些由于对数字电路不够熟悉,设计电路时过于随意,I/O口高电平直接接在电源上...
关键词：闩锁效应 数字电路 硬件工程师 电源部分 MCU I/O口 高电平 设计电路 
功率半导体IGBT失效分析与可靠性研究被引量：1
《电子产品世界》2021年第8期56-59,共4页黎长源 项永金 王少辉 
高端变频空调在实际应用中出现大量外机不工作,经过大量失效主板分析确认是主动式PFC电路中IGBT击穿失效,本文结合大量失效品分析与电路设计分析,对IGBT失效原因及失效机理分析,分析结果表明:经过对IGBT失效分析及IGBT工作电路失效分析...
关键词：主动式PFC升压电路 IGBT SOA 闩锁效应 ESD 热击穿失效 
一种非对称双向可控硅静电防护器件的设计
《电子产品世界》2021年第7期79-81,86,共4页李炜峰 王欣 王谞芃 汪洋 杨红姣 
国家自然科学基金青年基金项目(61704145);湖南省自然科学基金青年基金项目(2019JJ50609)。
非对称双向可控硅(ADDSCR)是在考虑了保护环结构之后,为使I-V特性曲线对称而设计的非对称结构,但是其维持电压较低,容易闩锁。为了提高传统ADDSCR的维持电压,基于0.18μm BCD工艺,设计维持电压高的HHVADDSCR。经TCAD仿真,证明HHVADDSCR...
关键词：非对称可控硅 维持电压 ESD 闩锁效应 
RK837通用快充协议芯片的闩锁效应分析
《电子技术（上海）》2021年第7期8-10,共3页王锁成 
上海科技企业技术创新课题项目
阐述芯片的特征尺寸随着工艺技术的发展越来越小,从而导致集成电路闩锁效应的问题变得日趋严重,从版图的角度分析Latch-up产生机理和防护方法。
关键词：集成电路设计 闩锁效应 低阻抗通路 寄生晶体管 基区宽度 
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