寄生晶体管

作品数：8被引量：15H指数：2
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RK837通用快充协议芯片的闩锁效应分析
《电子技术（上海）》2021年第7期8-10,共3页王锁成 
上海科技企业技术创新课题项目
阐述芯片的特征尺寸随着工艺技术的发展越来越小,从而导致集成电路闩锁效应的问题变得日趋严重,从版图的角度分析Latch-up产生机理和防护方法。
关键词：集成电路设计 闩锁效应 低阻抗通路 寄生晶体管 基区宽度 
SOI-LIGBT寄生晶体管电流增益的研究被引量：2
《半导体技术》2010年第1期54-57,共4页陈越政 钱钦松 孙伟锋 
采用二维器件模拟仿真软件Tsuprem4和Medici模拟了SOI-LIGBT的n型缓冲层掺杂剂量、阳极p+阱区长度、漂移区长度以及阳极所加电压对SOI-LIGBT寄生晶体管电流增益β的影响,通过理论分析定性的解释了产生上述现象的原因和机理,并且通过实...
关键词：绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管 电流增益β n型缓冲层 漂移区长度 
一种Bipolar结构中的闩锁效应被引量：2
《电子与封装》2009年第1期20-23,共4页周烨 李冰 
闩锁是集成电路结构所固有的寄生效应,这种寄生的双极晶体管一旦被外界条件触发,会在电源与地之间形成大电流通路,导致整个器件失效。文章较为详细地阐述了一种Bipolar结构中常见的闩锁效应,并和常见CMOS结构中的闩锁效应做了对比。分...
关键词：闩锁效应 寄生晶体管 器件模型 版图设计 
抑制晶体管有源寄生效应研究
《甘肃科学学报》2007年第2期54-57,共4页吴伟 孙勤 马忠权 
利用基尔霍夫电流定律修正双极晶体管的EM(Ebers-Moll,EM)模型,使得它适合描述4层结构的数字集成晶体管.利用数学软件MathCAD,对获取的EM模型数据作无近似处理.通过观察流经各个PN结的电流变化,可以研究数字晶体管在不同工作状态下寄生...
关键词：EM模型 寄生晶体管 无近似 
关于VDMOSFET二次击穿现象的分析和研究被引量：7
《电子器件》2005年第1期105-109,共5页张丽 庄奕琪 李小明 姜法明 
国家863项目(900123093)的资助。
在PDP驱动电路中的高压功率器件大量采用了VDMOS器件,由二次击穿引起的器件损坏不容忽视。本文讨论了双极晶体管和功率晶体管VDMOS二次击穿的现象,着重分析了功率晶体管VDMOS二次击穿的原因,并提出了改善其二次击穿现象的最佳设计参数...
关键词：二次击穿 双极晶体管 功率晶体管VDMOS 寄生晶体管 MEDICI 
VDMOSFET二次击穿效应的研究被引量：2
《现代电子技术》2005年第4期114-117,共4页张丽 庄奕琪 李小明 姜法明 
在 PDP驱动电路中高压功率器件大量采用了 V DMOS器件 ,由二次击穿引起的器件损坏不容忽视。本文讨论了双极晶体管和功率晶体管 VDMOS二次击穿的现象 ,并着重分析了功率晶体管 VDMOS二次击穿的原因 ,提出了改善其二次击穿现象的措施。...
关键词：二次击穿 双极晶体管 功率晶体管VDMOS 寄生晶体管 MEDICI 
NMOS预掺杂加剧关断状态漏电流
《电子产品可靠性与环境试验》2004年第3期76-77,共2页
关键词：NMOS 关断状态 漏电流 寄生晶体管 浅槽隔离 
功率MOSFET雪崩击穿问题分析被引量：5
《电源技术应用》2003年第12期45-48,共4页李意 尹华杰 牟润芝 
分析了功率 MOSFET 雪崩击穿的原因,以及 MOSFET 故障时能量耗散与器件温升的关系。和传统的双极性晶体管相比,反向偏置时 MOSFET 雪崩击穿过程不存在"热点"的作用,而电气量变化却十分复杂。寄生器件在 MOSFET 的雪崩击穿中起着决定性...
关键词：双极性晶体管 功率MOSFET 雪崩击穿 寄生晶体管 能量耗散 
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