关于VDMOSFET二次击穿现象的分析和研究  

Analysis and Study of Secondary Breakdown Effect about VDMOSFET

作　　者：张丽[1] 庄奕琪[1] 李小明[1] 姜法明[1] 

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子所,西安710071

出　　处：《电子器件》2005年第1期105-109,共5页Chinese Journal of Electron Devices

基　　金：国家863项目(900123093)的资助。

摘　　要：在PDP驱动电路中的高压功率器件大量采用了VDMOS器件,由二次击穿引起的器件损坏不容忽视。本文讨论了双极晶体管和功率晶体管VDMOS二次击穿的现象,着重分析了功率晶体管VDMOS二次击穿的原因,并提出了改善其二次击穿现象的最佳设计参数及最优准则: 基于寄生晶体管基区结深和浓度优化的方法。同时用器件仿真软件MEDICI模拟了各参数对功率晶体管VDNMOS二次击穿的影响,给出了仿真结果。VDMOS is widely adopted in PDF driver, the damage resulted by secondary breakdown effect can't be ignored. The secondary breakdown effect on Bipolar Transistor and VDMOSFET are discussed o This paper emphases on VDMOS and analyses the measures amending secondary breakdown. The effect of some parameters on secondary breakdown is simulated by using the MEDICI soft.

关 键 词：二次击穿 双极晶体管 功率晶体管VDMOS 寄生晶体管 MEDICI 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]