功率半导体IGBT失效分析与可靠性研究  

Failure Analysis and Reliability Research of Power Semiconductor IGBT

作　　者：黎长源 项永金 王少辉 

机构地区：[1]格力电器(合肥)有限公司,合肥230088

出　　处：《电子产品世界》2021年第8期56-59,共4页Electronic Engineering & Product World

摘　　要：高端变频空调在实际应用中出现大量外机不工作,经过大量失效主板分析确认是主动式PFC电路中IGBT击穿失效,本文结合大量失效品分析与电路设计分析,对IGBT失效原因及失效机理分析,分析结果表明:经过对IGBT失效分析及IGBT工作电路失效分析及整机相关波形检测、热设计分析、IGBT极限参数检测对比发现IGBT失效由多种原因导致,IGBT在器件选型、器件可靠性、闩锁效应、驱动控制、ESD能力等方面存在不足,逐一分析论证后从IGBT本身及电路设计方面全部提升IGBT工作可靠性。

关 键 词：主动式PFC升压电路 IGBT SOA 闩锁效应 ESD 热击穿失效 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学]