一种非对称双向可控硅静电防护器件的设计  

Design of an asymmetrical dual directional silicon-controlled rectifier electrostatic protection device

作　　者：李炜峰 王欣 王谞芃 汪洋 杨红姣 

机构地区：[1]湘潭大学物理与光电工程学院,湖南湘潭411105

出　　处：《电子产品世界》2021年第7期79-81,86,共4页Electronic Engineering & Product World

基　　金：国家自然科学基金青年基金项目(61704145);湖南省自然科学基金青年基金项目(2019JJ50609)。

摘　　要：非对称双向可控硅(ADDSCR)是在考虑了保护环结构之后,为使I-V特性曲线对称而设计的非对称结构,但是其维持电压较低,容易闩锁。为了提高传统ADDSCR的维持电压,基于0.18μm BCD工艺,设计维持电压高的HHVADDSCR。经TCAD仿真,证明HHVADDSCR具有高维持电压,避免了闩锁,且器件适用于传输电平在18~60 V的芯片信号端口的静电保护。

关 键 词：非对称可控硅 维持电压 ESD 闩锁效应 

分 类 号：TN303[电子电信—物理电子学]