谢达

作品数：2被引量：1H指数：1
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供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
发文主题：CMOS芯片CMOS集成电路击穿电压外延片闩锁效应更多>>
发文领域：电子电信更多>>
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薄外延CMOS芯片阱掺杂浓度与击穿电压的关系被引量：1
《电子与封装》2016年第8期37-40,共4页韩兆芳 谢达 乔艳敏 
CMOS电路由于寄生结构的影响,易于发生闩锁效应。主要通过流片实验测试验证,探讨了在外延厚度较薄的情况下阱掺杂浓度与击穿电压之间的关系。提出了在不改变外延厚度、保证芯片抗闩锁性能的前提下,提高CMOS器件击穿电压的方法。
关键词：CMOS集成电路 闩锁效应 外延片 穿通击穿 
一种基于串行通信接口的采样速率测试方法
《电子与封装》2015年第2期19-21,39,共4页张继 杨萌兮 谢达 
串行接口在工业控制领域得到广泛的应用,而且对串口的功能进行验证具有较为完善的测试设备和方法。另一方面,如何简化并快速进行串口模块的功能验证具有重要的意义。基于此观点,在研究了模块自身的功能特性的基础上,提出一种具有一定通...
关键词：通信协议 串行通信接口 通信速率 采样速率 
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