P阱

作品数：13被引量：7H指数：2
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3200 V双p阱终端VDMOS击穿特性仿真研究
《半导体光电》2023年第6期837-844,共8页李尧 王爱玲 王奋强 蓝俊 牛瑞霞 张鹏杰 张栩莹 吴回州 刘良朋 
国家自然科学基金项目(61905102);甘肃省自然科学基金项目(20JR5RA385);甘肃省教育厅创新能力提升项目(2019A-035)。
基于场限环终端技术理论,提出了一种具有双p阱结构的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOS)。通过数值模拟软件分别仿真了p阱各项参数和漂移区掺杂浓度与击穿电压的关系,提取器件击穿时的表面电场并分析其击穿机理。研究结果表...
关键词：VDMOS P阱 漂移区掺杂浓度 击穿电压 表面电场分布 
一种抑制单粒子瞬态响应的SiGe HBT工艺加固技术仿真
《微电子学》2023年第6期965-970,共6页易孝辉 谭开洲 张培健 魏佳男 洪敏 罗婷 徐开凯 
国防科技工业抗辐照应用技术创新中心创新基金资助项目(KFZC2020020702);重庆市博士后特别资助项目(YBSH2103);国家自然科学基金资助项目(62174018)
基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺,开展了无深槽NPN SiGe HBT工艺和器件仿真。模拟了带深P阱SiGe HBT的制备过程、常规电学特性和重离子单粒子效应。该器件与常规器件相比表现出更优的单粒子瞬态(SET)特性,在关态的SET响应峰值下降了80%,在...
关键词：SiGe BiCMOS SiGe HBT 单粒子瞬态 电荷收集 深P阱 
基于线性提升和高速低噪声比较器技术的10 bit 160 MSPS SAR ADC设计被引量：1
《电子产品世界》2021年第12期75-81,共7页曾鑫 冯志斌 张正平 徐代果 
基于采样管p阱浮空技术用于寄生电容电荷补偿,实现采样开关高线性度。使串联的两个寄生电容的容值变化方向相反,从而实现了容值的相互补偿,使输入管的寄生电容容值不随输入信号幅度变化,相较传统技术,采样开关的线性度得到进一步提高。...
关键词：10 bit 160 MSPS 采样管p阱浮空技术 高速低噪声比较器 
IGBT转移特性的计算与仿真研究
《中国设备工程》2019年第22期216-217,共2页范晓波 
IGBT即绝缘栅双极型晶体管,近年来发展迅猛,作为新一代的电力电子器件已经得到广泛应用。随着应用领域的不断拓展,对器件的性能也提出了更高的要求。作为具有表面MOSFET结构的器件,研究人员一直致力于优化其结构参数,以期获得更加优良...
关键词：IGBT 电力电子 MOSFET 转移特性 P阱 掺杂 
工艺阱深对CMOS集成电路抗闩锁性能的影响被引量：2
《电子与封装》2014年第6期45-47,共3页韩兆芳 虞勇坚 
闩锁效应是体硅CMOS电路中最为严重的失效机理之一,而且随着器件特征尺寸越来越小,使得CMOS电路结构中的闩锁效应日益突出。以P阱CMOS反相器和CMOS集成电路的工艺结构为基础,采用可控硅等效电路模型,较为详细地分析了闩锁效应的形成机理...
关键词：P阱 闩锁效应 可控硅 CMOS集成电路 
VDMOS参数一种新失效模式的调查与分析
《电子质量》2013年第4期34-40,共7页周桂丽 
该文通过详细记录一种新的VDMOS失效模式,按调查过程,层层抽丝剥茧,从JEFT注入到N阱形成,通过对比几个相近失效模式,最后找出造成失效的真正原因,并对失效模式进行分析。
关键词：JEFT注入 N阱 P阱 输出曲线 打胶 
SOI LDMOS栅漏电容特性的研究被引量：3
《微电子学》2005年第4期352-356,共5页俞军军 孙伟锋 易扬波 李海松 陆生礼 
国家高技术研究发展计划(863)计划资助项目(2003AA1Z1400)
借助软件,模拟并研究了SOILDMOS栅漏电容Cgd与栅源电压Vgs和漏源电压Vds的关系;研究了栅氧化层厚度,漂移区注入剂量,P阱注入剂量,SOI厚度,场板长度等五个结构工艺参数对Cgd的影响;提出了减小SOILDMOS栅漏电容Cgd的各参数调节方法。
关键词：SOI LDMOS 栅漏电容 栅氧化层 漂移区 P阱 
基于BiCMOS制作技术的探讨与研究
《测试技术学报》2004年第z1期69-73,共5页鄢云 
此文从最简单最基本的三重扩散3DBiCMOS制作工艺技术入手,分析了BiCMOS制作工艺的特征,重点探讨了双阱BiCMOS工艺处理方法,进行了CMOS,双极晶体管和BiCMOS工艺对比分析,对BiCMOS制作工艺及性能提高的前景进行探讨与研究.
关键词：CMOS 双极晶体管 BICMOS 扩散 注入 外延层 n阱 P阱 
高压P阱LDMOS的结构分析及其参数分析
《集成电路应用》2003年第12期43-46,共4页黄海涛 王伟国 
衡量HVIC工艺的一个重要的标准是其内的主要单元LDMOS的参数是否合乎工艺设计的要求。本文简略分析了700V P阱HVIC工艺中的LDMOS结构,并对LDMOS的参数略加分析。
关键词：HVIC LDMOS 场限环 RESURF 高压集成电路 多晶保护环 
高密度CMOS电路反常规P阱的掺杂技术
《微电子技术》1996年第6期29-30,共2页张晓雪 
关键词：CMOS电路 反常规P阱 掺杂 IC 
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