基于BiCMOS制作技术的探讨与研究  

Discussion & Research on BiCMOS Fabrication Technology

作　　者：鄢云[1] 

机构地区：[1]西安航空技术高等专科学校,西安,710077

出　　处：《测试技术学报》2004年第z1期69-73,共5页Journal of Test and Measurement Technology

摘　　要：此文从最简单最基本的三重扩散3DBiCMOS制作工艺技术入手,分析了BiCMOS制作工艺的特征,重点探讨了双阱BiCMOS工艺处理方法,进行了CMOS,双极晶体管和BiCMOS工艺对比分析,对BiCMOS制作工艺及性能提高的前景进行探讨与研究.

关 键 词：CMOS 双极晶体管 BICMOS 扩散 注入 外延层 n阱 P阱 

分 类 号：TB9-55[一般工业技术—计量学]