HVIC

作品数:34被引量:9H指数:2
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一种具有抗dV/dt噪声能力的600 V HVIC
《微电子学》2023年第4期641-646,共6页郭俊杰 徐申 常昌远 孙祎轩 叶佳玲 
江苏省自然科学基金资助项目(BK20201147)
设计了一种改进的电平移位电路。该电路采用交叉耦合结构,在不明显增加电路复杂度的情况下,显著提高了高压栅极驱动集成电路(HVIC)的噪声免疫能力。整个驱动器基于0.35μm 600 V BCD工艺设计。仿真结果表明,设计的HVIC可以实现高达125 V...
关键词:电平移位电路 交叉耦合结构 高压栅极驱动集成电路 噪声免疫 传输延时 
基于高压BCD工艺的内集成自举电路
《半导体技术》2022年第2期140-144,共5页冯宇翔 左安超 李斌 
设计了一款基于高压BCD工艺的内集成MOS自举电路,将其应用于高压集成电路(HVIC)。对传统的内集成MOS自举电路进行改进,该改进版内置MOS自举电路集成升压控制模块,实现在HVIC通电后屏蔽HVIC输入信号,并通过集成的升压电路将自举电容电压...
关键词:高压集成电路(HVIC) BCD工艺 MOS自举电路 二极管自举电路 低电压 
三菱电机发售“普及型600V耐压半桥驱动HVIC”
《变频器世界》2019年第12期43-43,共1页
近年来,随着世界范围环境保护意识的提高,电动自行车、家电产品及工业设备中马达驱动部分的逆变器化不断进行,逆变器系统所使用的功率半导体驱动用HVIC的需求也在扩大。此外,在日本基于节能法的领跑者制度中,自2013年起增加了工业用马达...
关键词:功率半导体 马达驱动 三菱电机 电动自行车 低成本化 能源效率 节能法 家电产品 
IPM智能功率模块故障测试及失效定位被引量:4
《中国集成电路》2018年第10期69-75,共7页龚瑜 黄彩清 吴凌 游俊 
国家自然科学基金(00000000);国家高技术研究发展计划(863计划)(2008AA000000)
随着了工业制造水平的发展,IPM的生产技术得到了极大的发展,器件的可靠性问题将是未来研究面临的新挑战。针对国内外近年来在智能功率模块失效分析方面的主要研究内容,综述了智能功率模块应用失效的测试方法以及失效定位技术,总结了连...
关键词:智能功率模块(IPM) 驱动芯片(HVIC) 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 功能测试失效 
μHVIC系列通用高压及低压IC
《今日电子》2015年第1期68-68,共1页
全新的μHVIC系列组件系列包括IRSxx752L100V、200V和600V单通道高侧驱动器;IRS2575IL高压启动IC;IRS44273L单通道低侧驱动器IC;IRS2505L功率因子校正(PFC)升压驱动器IC;以及IR25750L电流检N,IIC。
关键词:HVIC 高压启动 驱动器IC 低压 通用 功率因子校正 单通道 IIC 
IR推出易用的μHVIC系列构建模块,有效简化设计
《电子设计工程》2014年第23期122-122,共1页
全球功率半导体和管理方案领导厂商-国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出μHVIC系列通用高压及低压IC。新产品通过为常用电路组件提供易于使用的构建模块,简化功率系统开发流程。 全新的μHVIC系列组件系列包括IRSxx...
关键词:国际整流器 功率因子 电流检测 功率半导体 HVIC IR SMPS 电子产品 简化设计 开关模式 
A new high-voltage level-shifting circuit for half-bridge power ICs被引量:1
《Journal of Semiconductors》2013年第10期155-160,共6页孔谋夫 陈星弼 
supported by the 2011 PhD Programs Foundation of the Ministry of Education of China(No.20110185110003)
In order to reduce the chip area and improve the reliability of HVICs, a new high-voltage level-shifting circuit with an integrated low-voltage power supply, two PMOS active resistors and a current mirror is proposed....
关键词:HVIC level-shifting active resistor current mirror 
A noise immunity improved level shift structure for a 600 V HVIC被引量:3
《Journal of Semiconductors》2013年第6期138-142,共5页张允武 祝靖 孙国栋 刘翠春 孙伟峰 钱钦松 
A novel level shift circuit featuring with high dV/dt noise immunity and improved negative V_S capacity is proposed in this paper.Compared with the conventional structure,the proposed circuit adopting two cross-couple...
关键词:gate driver half bridge dV/dt noise level shift negative V_S capacity 
半桥驱动用的高可靠性1200V高压集成电路(1200V HVIC)
《电力电子》2013年第1期13-15,共3页袁海斌 
本文提出了一种新的用于半桥应用的高可靠性1200V高压集成电路(1200VHVIC)。它适合于驱动工业级逆变器系统中的功率MOSFET/IGBT模块。该电路引脚配置和功能与之前的1200V HVIC相互兼容,且利用新的工艺和保护电路实现了高速降噪,并具有...
关键词:高压集成电路 模块 降噪 
New Level-Shift LDMOS Structure for a 600 V-HVIC on Thick SOl
《Journal of Energy and Power Engineering》2012年第9期1515-1520,共6页Masaharu Yamaji Keisei Abe Akihiro Jonishi Hidenori Takahashi Hitoshi Sumida 
A novel level-shift LDMOS (lateral double-diffused metal oxide semiconductor) structure with the HV (high voltage) -interconnection for a 600 V-HVIC (high voltage integrated circuit) on thick SOI (silicon on in...
关键词:HVIC SOL level-shift LDMOS HV-interconnection. 
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