云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 李海松

李海松: 作品数：17被引量：23H指数：3; 导出分析报告; 供职机构：东南大学更多>>; 发文主题：氧化层栅氧化层多晶硅栅金属氧化物半导体半导体管更多>>; 发文领域：电子电信电气工程更多>>; 发文期刊：《半导体技术》《电子器件》《电子与封装》《微电子学》更多>>; 所获基金：国家高技术研究发展计划江苏省自然科学基金更多>>

高压CoolMOS的准饱和效应分析及优化设计: 《微电子学》2009年第4期580-583,共4页祝靖钱钦松孙伟锋李海松; 分析了利用多次外延/离子注入工艺方法制造的高压CoolMOS(>650 V)的准饱和现象,与普通的低压CoolMOS的准饱和现象进行了对比。结果发现,准饱和首先发生在N-Pillar的底部,分析了这种现象产生的原因。为了改善器件的准饱和效应,提出一种...; 关键词：高压器件 COOLMOS 准饱和浮置P—Pillar

基于电荷泵法的N-LDMOS界面态测试技术研究被引量：2: 《固体电子学研究与进展》2009年第4期597-601,605,共6页刘斯扬钱钦松孙伟锋李海松时龙兴; 江苏省自然科学基金支持项目(项目编号:BK2008287); 详细研究了高压N-LDMOS器件的电荷泵(CP)测试技术,指出了高压N-LDMOS器件的特殊结构对其CP测试结果的影响,并解释了高压N-LDMOS器件的CP曲线不饱和的原因,同时对由于不同的源漏偏压造成的高压N-LDMOS器件CP曲线的变化进行了深入的理论...; 关键词：N型横向双扩散金属氧化物晶体管电荷泵测试热载流子

新型高压半超结功率MOSFET的优化设计被引量：1: 《电子器件》2009年第1期21-23,共3页荆吉利钱钦松李海松孙伟锋; 给出了一个完整的半超结MOS的设计方法,包括超结部分浓度的确定,电压支持层部分的深度和浓度的优化。借助二维器件仿真讨论了在原胞尺寸不变的情况下导通电阻和击穿电压的折中关系的优化方法。通过模拟得到了一个750 V,特征导通电阻为3...; 关键词：电力半导体器件半超结电压支持层击穿电压

一种采用二次曲率补偿的带隙基准源被引量：1: 《现代电子技术》2008年第23期84-86,共3页尹健李海松; 基于二次曲率补偿的基本原理,提出一种高精度的采用二次曲率补偿的新型带隙基准源电路,产生二次温度补偿量对传统的带隙基准源进行校正,获得更小的温度系数。该电路采用0.6μm的CMOS工艺实现。经过Spectre仿真,结果表明在-50^+125℃的...; 关键词：带隙基准源二次曲率补偿 CMOS集成电路温度系数

Modeling of High-Voltage LDMOS for PDP Driver ICs被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2008年第11期2110-2114,共5页李海松孙伟锋易扬波时龙兴; the National High Technology Research and Development Program of China(No.2004AA1Z1060)~~; A SPICE sub-circuit model is developed for high-voltage LDMOS transistors integrated in PDP driver ICs. The model accounts for intrinsic LDMOS phenomena such as the quasi-saturation effects, voltage-dependent drift re...; 关键词：MODEL LDMOS SUB-CIRCUIT PDP driver ICs

500V耗尽型NLDMOS器件研究被引量：1: 《半导体技术》2008年第9期772-775,共4页李维聪李海松孙伟锋; 基于一款LED驱动芯片中耗尽型高压NLDMOS器件的参数要求,提出一种耗尽型高压NLDMOS的器件结构和参数设计优化方法。分析了沟道注入工艺对器件阈值电压和表面电场分布的影响,综合利用RESURF技术和线性漂移区技术,改善耗尽型NLDMOS的表面...; 关键词：耗尽型高压LDMOS 线性漂移区

100V体硅N-LDMOS器件研究: 《电子器件》2008年第2期469-471,475,共4页许坚孙伟峰李海松; 为了设计一款100V体硅N-LDMOS器件,通过借助Tsuprem-4和Medici软件详细讨论分析了高压N-LDMOS器件衬底浓度、漂移区参数、金属场极板长度等与击穿电压、开态电阻之间的关系,最终得到兼容体硅标准低压CMOS工艺的100V体硅N-LDMOS最佳结构...; 关键词：功率器件漂移区金属场极板击穿电压体硅

BiCMOS工艺中VNPN晶体管的优化设计: 《电子器件》2008年第2期488-491,共4页吕海凤李海松吴虹孙伟锋; BiCMOS工艺对晶体管的工艺条件设计提出了更高的要求。结合实际BiCMOS工艺,借助专业TCAD模拟软件ISE,模拟了晶体管基区注入和退火等工艺条件对VNPN晶体管的电流增益β和击穿电压BVCEO的影响,给出了优化的设计方案。在线流片结果表明优化...; 关键词：BICMOS VNPN β [BV]CEO TCAD

A Novel SPICE Macro-Model for Power ICs: 《Journal of Semiconductors》2008年第2期229-233,共5页赵野周玉梅李海松孙伟锋; A novel macro-model of high-voltage DMOS for power ICs is proposed according to the canonical piecewiselinear model technique. The method describes nonlinear characteristics directly as functions of node voltage. We e...; 关键词：power IC SPICE macro-model DMOS

On-Resistance Degradations Under Different Stress Conditions in High Voltage pLEDMOS Transistors and an Improved Method被引量：3: 《Journal of Semiconductors》2008年第2期214-218,共5页孙伟锋吴虹时龙兴易扬波李海松; 国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:2004AA1Z1060)~~; The on-resistance degradations of the p-type lateral extended drain MOS transistor （pLEDMOS） with thick gate oxide under different hot carrier stress conditions are different, which has been experimentally investiga...; 关键词：pLEDMOS on-resistance degradation hot electron injection and trapping thick gate oxide

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