漂移区

作品数：72被引量：54H指数：3
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一种灵敏度提高的垂直型霍尔器件及仿真模型
《固体电子学研究与进展》2025年第2期92-96,共5页王双喜 李建强 李良 周林 李杰林 徐跃 
国家自然科学基金资助项目(62171233);中国电子学会-智芯科研专项项目(20220370-0090);江苏省研究生科研与实践创新计划项目(SJCX23_0298)。
基于180 nm BCD工艺实现了一种灵敏度提高的五孔垂直型霍尔器件(Five-contact vertical Hall-effect device,FCVHD)。采用掺杂浓度较低且阱深较深的N型漂移区(N-type drift region,NDRF)作为器件有源区,并在器件表面的N~+接触孔之间进行...
关键词：五孔垂直型霍尔器件(FCVHD) N型漂移区(NDRF) 仿真模型 电流相关灵敏度 
具有超低比导通电阻的双漂移区双导通路径新型横向双扩散金属氧化物半导体
《物理学报》2025年第8期221-228,共8页段宝兴 任宇壕 唐春萍 杨银堂 
本文提出了一种具有双漂移区和双导通路径的新型横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件,实现了超低比导通电阻(R_(on,sp)).其漂移区采用P型和N型纵向交替所构成的双漂移区结构,并引入平面栅和槽型栅分别控制P型和N型漂移区,使得器件能...
关键词：双漂移区 双导通路径 比导通电阻 击穿电压 
3300 V平面栅IGBT器件特性仿真研究
《半导体光电》2024年第6期879-886,共8页李文佩 王永顺 张利军 李梦梦 胡瑶 
国家自然科学基金项目(6136606)。
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)作为一种广泛应用于电子电路领域的功率器件,具有导通电压低、通态电流大、开关速度快和输入阻抗高等优势。文章基于数值模拟软件建立了3 300 V平面栅场截止型绝缘栅双极型晶体管器件(FS-IGBT)的仿真模型,通过...
关键词：击穿电压 阈值电压 导通压降 漂移区掺杂浓度 
1000V 4H-SiC VDMOS结构设计与特性研究
《半导体光电》2024年第3期378-383,共6页李尧 牛瑞霞 王爱玲 王奋强 蓝俊 张栩莹 张鹏杰 刘良朋 吴回州 
国家自然科学基金项目(61905102,62264008);兰州市青年科技人才创新项目(2023-QNQ-119).
设计并优化了一种基于4H-SiC的1000V垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOS),在留有50%的裕度后,通过Silvaco仿真软件详细研究了器件各项参数与耐压特性之间的关系。经优化,器件的阈值电压为2.3V,击穿电压达1525V,相较于相同耐...
关键词：4H-SIC 垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管 击穿电压 漂移区参数 沟道长度 
3200 V双p阱终端VDMOS击穿特性仿真研究
《半导体光电》2023年第6期837-844,共8页李尧 王爱玲 王奋强 蓝俊 牛瑞霞 张鹏杰 张栩莹 吴回州 刘良朋 
国家自然科学基金项目(61905102);甘肃省自然科学基金项目(20JR5RA385);甘肃省教育厅创新能力提升项目(2019A-035)。
基于场限环终端技术理论,提出了一种具有双p阱结构的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOS)。通过数值模拟软件分别仿真了p阱各项参数和漂移区掺杂浓度与击穿电压的关系,提取器件击穿时的表面电场并分析其击穿机理。研究结果表...
关键词：VDMOS P阱 漂移区掺杂浓度 击穿电压 表面电场分布 
一款600V高压VDMOS器件的设计被引量：1
《机电元件》2023年第2期25-27,共3页单长玲 习毓 丁文华 
本文基于高压VDMOS器件的导通电阻模型,探讨了导通电阻影响因素;在保证器件击穿电压的同时,优化了外延层电阻;采用JFET注入工艺,减小JFET电阻;同时结合器件结构、元胞密度和芯片面积来降低器件的导通电阻。通过工艺仿真和二维数值仿真...
关键词：导通电阻 工艺仿真 二维数值模拟 JFET 漂移区 
具有多场限环结构的SiC LDMOS击穿特性研究被引量：1
《电子元件与材料》2023年第1期50-56,共7页彭华溢 汪再兴 高金辉 保玉璠 
甘肃省科技厅计划项目(21YF5GA058)。
场限环终端结构因能够显著提高击穿电压而被广泛应用于半导体功率器件。基于数值模拟软件建立了具有多场限环结构的SiC LDMOS仿真模型。分别仿真场限环各项参数和漂移区掺杂浓度与击穿电压的关系。提取器件击穿时的表面电场,从表面电场...
关键词：SiC LDMOS 场限环 漂移区掺杂浓度 击穿电压 表面电场分布 
关键工艺参数对高压SOI LDMOS击穿特性的影响研究被引量：2
《微电子学与计算机》2022年第10期126-132,共7页何晓斐 宋坤 赵杰 孙有民 王英民 
装备预研基金项目(31513040204)。
本文基于顶层硅膜厚度为3μm的SOI衬底,设计了一种超薄硅层线性变掺杂漂移区结构的LDMOS晶体管,通过优化漂移区的工艺参数,显著改善了器件的表面电场分布,降低了漂移区两端的电场峰值,提高了横向耐压能力;通过形成超薄硅层漂移区提高了...
关键词：绝缘体上硅 高压LDMOS 超薄漂移区 
具有多场限环终端的PiN二极管反向击穿的研究被引量：2
《电子元件与材料》2021年第2期119-123,149,共6页刘晓忠 汪再兴 孙霞霞 郑丽君 高金辉 
场限环终端结构可以有效提高击穿电压,因而被广泛应用于半导体功率器件。场限环中多个参数都影响PiN二极管主结的击穿能力。本文基于数值模拟软件建立PiN二极管的场限环终端仿真模型,并设计十道场限环作为终端结构。分别仿真场限环结深...
关键词：PIN二极管 场限环 击穿电压 结深 漂移区掺杂浓度 电场分布 
MPS二极管的少子特性仿真被引量：2
《半导体技术》2019年第4期270-275,285,共7页孙霞霞 汪再兴 刘晓忠 郑丽君 王永顺 
甘肃省建设科技攻关项目(JK2016-7);甘肃省财政厅基本科研项目(213048)
混合pin/肖特基(MPS)二极管是广泛应用于电子电路中的快恢复功率器件,具有高击穿电压、快速开关和正向电流大等特性。对MPS二极管漂移区的少数载流子的特性进行了仿真分析。仿真结果表明,MPS二极管的p^+区向漂移区注入的少数载流子浓度...
关键词：混合pin/肖特基(MPS)二极管 少数载流子浓度 高频特性 反向恢复时间 漂移区 
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