一款600V高压VDMOS器件的设计  

Design of 600V High-voltage VDMOS Device

作　　者：单长玲 习毓 丁文华 SHAN Chang-ling;XI Yu;DING Wen-hua

机构地区：[1]西安卫光科技有限公司,陕西西安710065

出　　处：《机电元件》2023年第2期25-27,共3页Electromechanical Components

摘　　要：本文基于高压VDMOS器件的导通电阻模型,探讨了导通电阻影响因素;在保证器件击穿电压的同时,优化了外延层电阻;采用JFET注入工艺,减小JFET电阻;同时结合器件结构、元胞密度和芯片面积来降低器件的导通电阻。通过工艺仿真和二维数值仿真相结合的方法,设计了一款11A/600V的功率VDMOS器件。经流片测试数据表明,产品性能达到国外同型号产品的参数水平。

关 键 词：导通电阻 工艺仿真 二维数值模拟 JFET 漂移区 

分 类 号：TP391.9[自动化与计算机技术—计算机应用技术]