吴虹

作品数：5被引量：5H指数：1
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发文主题：驱动芯片绝缘体上硅氧化物半导体氧高压器件更多>>
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无电阻低压低温漂的CMOS基准电压源被引量：1
《电子设计工程》2010年第3期84-86,共3页管佳伟 吴虹 孙伟锋 
结合工作在亚阈值区、饱和区和线性区的MOS管，提出一种纯MOS结构的基准电压源，其结构能有效补偿MOS管的栽流子迁移率和亚闽值斜率的温度系数。基于SMIC0．13μm的CMOS工艺的仿真结果表明，在-5-90℃的范围内。输出电压的温度系数为5pp...
关键词：基准电压源 温度补偿 亚阈值区 载流子迁移率 亚阈值斜率 
PDP驱动芯片用RSDS接口电路设计
《电子器件》2008年第3期759-762,共4页华国环 吴虹 孙伟锋 
介绍了一种基于RSDS(减小摆幅差分信号传输)信号传输标准的PDP驱动芯片用接口电路设计,它包括PMOSFET输入CMOS差分放大器和电压源偏置电路。文章重点讨论了PMOSFET输入CMOS差分放大器的差模工作原理及影响其差模增益的因素。Spectre仿...
关键词：RSDS CMOS差分放大器 偏置电路 RSDS信号接收器 
PDP驱动芯片用能量恢复电路的设计被引量：1
《电子器件》2008年第3期763-765,769,共4页庄华龙 吴虹 孙伟锋 
主要提出了一种基于PDP驱动芯片的能量恢复电路,该电路利用将各个输出端通过控制高压开关管连接在一起进行电荷共享的原理,经过Hspice仿真验证具有完整的功能,并在CSMC0.5μmCMOS工艺下得到实现。仿真结果表明这种能量恢复电路不仅可以...
关键词：能量恢复 电荷共享 PDP 驱动芯片 
BiCMOS工艺中VNPN晶体管的优化设计
《电子器件》2008年第2期488-491,共4页吕海凤 李海松 吴虹 孙伟锋 
BiCMOS工艺对晶体管的工艺条件设计提出了更高的要求。结合实际BiCMOS工艺,借助专业TCAD模拟软件ISE,模拟了晶体管基区注入和退火等工艺条件对VNPN晶体管的电流增益β和击穿电压BVCEO的影响,给出了优化的设计方案。在线流片结果表明优化...
关键词：BICMOS VNPN β [BV]CEO TCAD 
On-Resistance Degradations Under Different Stress Conditions in High Voltage pLEDMOS Transistors and an Improved Method被引量：3
《Journal of Semiconductors》2008年第2期214-218,共5页孙伟锋 吴虹 时龙兴 易扬波 李海松 
国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:2004AA1Z1060)~~
The on-resistance degradations of the p-type lateral extended drain MOS transistor （pLEDMOS） with thick gate oxide under different hot carrier stress conditions are different, which has been experimentally investiga...
关键词：pLEDMOS on-resistance degradation hot electron injection and trapping thick gate oxide 
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