无电阻低压低温漂的CMOS基准电压源  

Resistorless low voltage, low temperature drift CMOS voltage reference

作　　者：管佳伟[1] 吴虹[1] 孙伟锋[1] 

机构地区：[1]东南大学ASIC工程中心,江苏南京210096

出　　处：《电子设计工程》2010年第3期84-86,共3页Electronic Design Engineering

摘　　要：结合工作在亚阈值区、饱和区和线性区的MOS管，提出一种纯MOS结构的基准电压源，其结构能有效补偿MOS管的栽流子迁移率和亚闽值斜率的温度系数。基于SMIC0．13μm的CMOS工艺的仿真结果表明，在-5-90℃的范围内。输出电压的温度系数为5ppm／℃。在室温时，整个电路能在低到0．9V的电源电压下工作并消耗0．68μW的功耗。This paper describes a MOSFET-only voltage reference that combines different operating regions of linear, saturation and subthreshold in MOSFETs.The circuit effectively compensates the temperature dependence of carrier mobility and subthreshold slope of MOSFET.The voltage reference is designed based on SMIC 0.13μm CMOS process. The simulation results show that the temperature coefficient （TC） of output voltage is 5 ppm/℃ in the range from -55℃ to 90℃. It dissipates a power of 0.68μW at 0.gv supply voltage at room temperature.

关 键 词：基准电压源 温度补偿 亚阈值区 载流子迁移率 亚阈值斜率 

分 类 号：TN402[电子电信—微电子学与固体电子学]