许坚

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100V体硅N-LDMOS器件研究
《电子器件》2008年第2期469-471,475,共4页许坚 孙伟峰 李海松 
为了设计一款100V体硅N-LDMOS器件,通过借助Tsuprem-4和Medici软件详细讨论分析了高压N-LDMOS器件衬底浓度、漂移区参数、金属场极板长度等与击穿电压、开态电阻之间的关系,最终得到兼容体硅标准低压CMOS工艺的100V体硅N-LDMOS最佳结构...
关键词：功率器件 漂移区 金属场极板 击穿电压 体硅 
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