孙伟峰

作品数：5被引量：6H指数：2
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供职机构：东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心更多>>
发文主题：功率器件击穿电压采样保持电路CTIA非线性更多>>
发文领域：电子电信电气工程更多>>
发文期刊：《固体电子学研究与进展》《半导体光电》《电子器件》更多>>
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基于延迟锁定环技术的数字脉宽调制器的设计与实现
《电子器件》2015年第2期327-331,共5页宋慧滨 梁雷 王永平 李菲 孙伟峰 
介绍了一种新型的基于数字延迟锁定环DLL(Delay Lock Loop)技术的混合数字脉宽调制器DPWM(Digital Pulse Width Modulator)结构,该结构用可编程延迟单元PDU(Programmable Delay Unit)构成延迟线,通过DLL调节算法,动态地调整PDU的延迟时...
关键词：开关电源 数字脉宽调制 数字延迟锁定环 可编程延迟单元 
红外焦平面阵列读出电路非线性的研究被引量：3
《半导体光电》2010年第3期455-458,共4页文勇 夏晓娟 孙伟峰 
在红外焦平面阵列读出电路中,非均匀性是限制其发展的主要瓶颈之一。优化读出电路的非线性可以改善焦平面阵列的非均匀性,提高红外系统的成像质量。文章主要对电容跨阻抗放大器(CTIA)型读出电路的非线性进行研究,包括该结构的积分放大...
关键词：CTIA 非均匀性 非线性 采样保持电路 动态范围 
Double RESURF nLDMOS功率器件的优化设计被引量：2
《固体电子学研究与进展》2010年第2期256-261,共6页朱奎英 钱钦松 孙伟峰 
基于漂移区表面具有单个P-top层Double RESURF nLDMOS的结构和耐压机理,提出了具有P-top层终端结构的Double RESURF nLDMOS结构,并通过利用SENTAURUS TSUPREM4和DEVICES软件进行优化设计。P-top层终端结构不仅降低了击穿电压对P-top层...
关键词：降低表面电场的双扩散金属氧化物晶体管 P-top层终端结构 电场峰值 击穿电压 导通电阻 
100V体硅N-LDMOS器件研究
《电子器件》2008年第2期469-471,475,共4页许坚 孙伟峰 李海松 
为了设计一款100V体硅N-LDMOS器件,通过借助Tsuprem-4和Medici软件详细讨论分析了高压N-LDMOS器件衬底浓度、漂移区参数、金属场极板长度等与击穿电压、开态电阻之间的关系,最终得到兼容体硅标准低压CMOS工艺的100V体硅N-LDMOS最佳结构...
关键词：功率器件 漂移区 金属场极板 击穿电压 体硅 
PDP能量恢复电路硬开关问题的研究被引量：1
《电子器件》2007年第2期518-522,525,共6页周吉鹏 曹允 孙伟峰 吴建辉 
等离子显示器在没有能量恢复电路的情况下,功耗很大,不能广泛实用,因此能量恢复电路是驱动电路中至关重要的部分.能量恢复电路中的高压开关MOSFET的硬开关问题,会导致PDP电路中的较大的放电电流,增大电磁干扰(EMI),影响整机性能.硬开关...
关键词：等离子显示器 能量恢复 硬开关 零电压开关 
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