高压P阱LDMOS的结构分析及其参数分析  

作　　者：黄海涛 王伟国 

机构地区：[1]上海贝岭股份有限公司技术发展部,200233

出　　处：《集成电路应用》2003年第12期43-46,共4页Application of IC

摘　　要：衡量HVIC工艺的一个重要的标准是其内的主要单元LDMOS的参数是否合乎工艺设计的要求。本文简略分析了700V P阱HVIC工艺中的LDMOS结构,并对LDMOS的参数略加分析。

关 键 词：HVIC LDMOS 场限环 RESURF 高压集成电路 多晶保护环 

分 类 号：TN402[电子电信—微电子学与固体电子学]