金属-氧化物-半导体器件

作品数：15被引量：51H指数：4
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相关作者：何宝平彭宏论王剑屏姚育娟刘传洋更多>>
相关机构：西安电子科技大学西北核技术研究所中国科学院中芯国际集成电路制造(上海)有限公司更多>>
相关期刊：《固体电子学研究与进展》《强激光与粒子束》《物理化学学报》《物理学报》更多>>
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γ射线作用下氧化铪基MOS结构总剂量效应研究
《强激光与粒子束》2019年第6期114-118,共5页丁曼 
国家自然科学基金青年基金项目(51507049)
使用原子层淀积方法得到了7.8nm厚度的HfO2薄膜并通过直接溅射金属铝电极得到了Al/HfO2/SiMOS电容结构,测量得到了HfO2基MOS结构在60Coγ射线辐照前后的电容-电压特性,使用原子力显微镜得到了HfO2薄膜在辐照前后的表面微观形貌,使用X射...
关键词：氧化铪 金属-氧化物-半导体器件 伽马射线 电离总剂量效应 
基于Au@PPy核壳结构纳米粒子自组装阵列的可程序化负微分电阻效应研究
《物理化学学报》2019年第5期455-456,共2页韩布兴 
随着信息技术的快速发展,亟需探索新型器件来满足当前及未来人们的需求1,2。在电子器件中非常重要的物理现象之一—负微分电阻效应,其在逻辑门3、模拟数字转换4、高频率振荡5、记忆存储和快速转换6等领域中具有巨大的应用前景。负微分...
关键词：电阻效应 核壳结构纳米粒子 负微分 金属-氧化物-半导体器件 程序化 自组装 模拟数字转换 电子器件 
电离总剂量辐照试验流程阐述被引量：3
《电子产品可靠性与环境试验》2012年第B05期163-166,共4页王文双 费武雄 
空间辐射环境是影响航天电子设备长期稳定运行的重要因素,是当前航天电子技术研究的重点。针对目前国内主要的电离总剂量辐照试验标准,阐述了MOS的辐照试验流程,并对其中包含的机理进行了详细的分析;同时,对试验方法中有关偏置条件、辐...
关键词：电离总剂量 金属-氧化物-半导体器件 辐照流程 偏置条件 
超陡倒掺杂分布对超深亚微米金属-氧化物-半导体器件总剂量辐照特性的改善被引量：12
《物理学报》2010年第3期1970-1976,共7页王思浩 鲁庆 王文华 安霞 黄如 
国家自然科学基金(批准号:60836004,60625403);国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号:2006CB302701)资助的课题~~
分析了沟道中超陡倒掺杂和均匀掺杂两种情况下超深亚微米MOS器件的总剂量辐照特性,主要比较了两种掺杂分布的器件在辐照情况下的泄漏电流与阈值电压的退化特性.结果表明,在辐照剂量<500krad情况下,超陡倒掺杂器件的泄漏电流比均匀掺杂...
关键词：总剂量效应 超陡倒掺杂 泄漏电流 抗辐射加固. 
提高MOS功率晶体管封装可靠性技术研究
《电子产品可靠性与环境试验》2009年第6期1-4,共4页张国光 郑学仁 张顺 张国俊 郑春扬 吴朝晖 
功率MOS晶体管的正向导通电阻是器件的重要指标,严重影响器件的使用可靠性。从封装材料、封装工艺等方面论述功率MOS管降低导通电阻、控制空洞、提高器件可靠性的封装技术,并通过一些实例来阐述工艺控制的效果。
关键词：金属-氧化物-半导体器件 功率晶体管 封装 导通电阻 器件可靠性 
一种精确求解超薄栅NMOS器件隧穿电流的模型
《固体电子学研究与进展》2008年第2期162-166,共5页李宗林 徐静平 许胜国 
国家自然科学基金(60376019)资助项目
提出了一种精确求解隧穿电流的模型。通过自洽求解一维薛定谔方程和泊松方程,得到NMOS器件的半导体表面电势分布、反型层二维电子气的量子化能级以及对应的载流子浓度分布。为计算隧穿电流,采用了多步势垒逼近方法计算栅氧化物势垒层的...
关键词：N沟金属-氧化物-半导体器件 量子隧穿 反型层 超薄栅氧化物 
用DTPDO研究超薄栅氧化层的诱生缺陷
《固体电子学研究与进展》2006年第4期466-470,共5页贾高升 许铭真 谭长华 段小蓉 
国家"九七三"基础研究课题(G2000036503)的资助
应用直接隧道比例差分(DTPDO)谱技术研究了深亚微米MOS器件超薄栅氧化层的应力诱生缺陷。实验结果发现超薄栅氧化层直接隧道栅电流的比例差分谱存在明显的三个谱峰。这意味着在超薄栅氧化层退化的过程中有三种氧化层高场诱生缺陷共存。...
关键词：金属-氧化物-半导体器件 直接隧穿栅电流 比例差分谱 多缺陷 
MEDICI程序简介及其在电离辐照效应研究中的应用被引量：3
《计算物理》2003年第4期372-376,共5页郭红霞 陈雨生 周辉 张义门 龚仁喜 吕红亮 
　简要介绍了二维半导体器件模拟软件MEDICI的基本特点和使用方法;应用MEDICI程序对MOSFET的总剂量效应、PN结的剂量率效应进行了仿真模拟,建立了电离辐照效应的物理模型,并将模拟结果与实验数据进行了比较.
关键词：MEDICI程序 电离辐照效应 仿真 器件模拟 物理模型 总剂量效应 剂量率效应 MOSFET 金属-氧化物-半导体器件 
利用等时退火法预估等温退火效应实验研究被引量：3
《物理学报》2003年第9期2239-2243,共5页何宝平 王桂珍 龚建成 罗尹虹 李永宏 
对电离辐照损伤后的MOS器件的等温和等时退火特性进行了研究 ,结果发现 ,首先 ,10 0℃等温退火是有效的 ,等时退火所需的全过程时间最短 ;其次 ,+ 5V栅偏压退火相对于 0V和浮空偏置条件 ,阈值电压恢复速度快、恢复程度大 ;最后 ,利用等...
关键词：等时退火法 等温退火效应 实验研究 预估 MOS器件 金属-氧化物-半导体器件 
用变角XPS技术定量计算超薄SiO_2层厚度
《合肥工业大学学报（自然科学版）》2003年第3期452-455,共4页严少平 汪贵华 李锋 顾广颐 
安徽省教育厅自然科学基金资助项目(2001kj227zc)
采用变角XPS技术分析单晶Si和非晶Si衬底上覆盖SiO2薄层的样品,比较变角XPS定量计算超薄SiO2层厚度的几种方法及特点,从而获得一种比较可靠稳定的分析计算方法。实际应用证明,变角XPS技术可用于MOS集成器件的超薄栅氧化层厚度常规分析...
关键词：变角XPS技术 定量计算 超薄SiO2层 超薄栅氧化层 厚度测量 薄膜 MOS集成器件 金属-氧化物-半导体器件 
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