李锋

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供职机构：南京理工大学电子工程与光电技术学院更多>>
发文主题：超薄栅氧化层超薄SIO厚度测量厚度更多>>
发文领域：理学电子电信更多>>
发文期刊：《合肥工业大学学报（自然科学版）》更多>>
所获基金：安徽省高校省级自然科学研究项目更多>>
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用变角XPS技术定量计算超薄SiO_2层厚度
《合肥工业大学学报（自然科学版）》2003年第3期452-455,共4页严少平 汪贵华 李锋 顾广颐 
安徽省教育厅自然科学基金资助项目(2001kj227zc)
采用变角XPS技术分析单晶Si和非晶Si衬底上覆盖SiO2薄层的样品,比较变角XPS定量计算超薄SiO2层厚度的几种方法及特点,从而获得一种比较可靠稳定的分析计算方法。实际应用证明,变角XPS技术可用于MOS集成器件的超薄栅氧化层厚度常规分析...
关键词：变角XPS技术 定量计算 超薄SiO2层 超薄栅氧化层 厚度测量 薄膜 MOS集成器件 金属-氧化物-半导体器件 
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