云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 鲁庆

鲁庆: 作品数：1被引量：12H指数：1; 导出分析报告; 供职机构：北京大学信息科学技术学院微米纳米加工技术国家重点实验室更多>>; 发文主题：超深亚微米辐照特性抗辐射加固金属-氧化物-半导体器件总剂量效应更多>>; 发文领域：电子电信更多>>; 发文期刊：《物理学报》更多>>; 所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>

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超陡倒掺杂分布对超深亚微米金属-氧化物-半导体器件总剂量辐照特性的改善被引量：12: 《物理学报》2010年第3期1970-1976,共7页王思浩鲁庆王文华安霞黄如; 国家自然科学基金(批准号:60836004,60625403);国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号:2006CB302701)资助的课题~~; 分析了沟道中超陡倒掺杂和均匀掺杂两种情况下超深亚微米MOS器件的总剂量辐照特性,主要比较了两种掺杂分布的器件在辐照情况下的泄漏电流与阈值电压的退化特性.结果表明,在辐照剂量<500krad情况下,超陡倒掺杂器件的泄漏电流比均匀掺杂...; 关键词：总剂量效应超陡倒掺杂泄漏电流抗辐射加固.