电离辐照效应

作品数：13被引量：52H指数：4
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不同发射区周长面积比双极晶体管的电离辐照效应被引量：2
《半导体技术》2013年第3期222-226,共5页吕曼 张小玲 张彦秀 谢雪松 孙江超 王鹏鹏 吕长志 
对制作工艺相同但发射区周长面积比不同的npn和pnp两种类型双极晶体管进行了辐照实验,研究了双极晶体管的电离总剂量辐射损伤机理和退火效应,分析了影响双极晶体管电离总剂量辐射特性的关键因素。实验结果表明,在相同累积电离辐射总剂...
关键词：双极晶体管 发射极 周长面积比 电离辐射 总剂量 退火 
典型CMOS存储器电离辐照效应被引量：2
《上海航天》2011年第1期65-68,共4页徐导进 刘伟鑫 王晨 蔡楠 吾勤之 
对电离辐照环境中典型CMOS存储器的辐照效应进行了研究。分析了SRAM,EEPROM,FLASH ROM存储器在60Coγ射线辐照及辐照后不同退火过程中,CMOS存储器的集成度、辐照偏置、退火时间和温度与电离辐照效应的关系。结果发现:不加电(冷备份)状态...
关键词：电离辐照效应 辐照偏置 退火效应 
不同偏置条件下NPN双极晶体管的电离辐照效应被引量：8
《原子能科学技术》2011年第2期217-222,共6页费武雄 陆妩 任迪远 郑玉展 王义元 陈睿 王志宽 杨永晖 李茂顺 兰博 崔江维 赵云 
模拟集成电路国家重点实验室资助项目(9140C090403070C09)
对NPN双极晶体管进行了不同剂量率、不同偏置条件下的电离辐射实验。研究结果表明:同一剂量率辐照时,无论是低剂量率还是高剂量率,辐照损伤均是基-射结反向偏置时最大,零偏置次之,正偏置最小。NPN双极晶体管在3种偏置下均可观察到明显...
关键词：NPN双极晶体管 60Coγ辐照 偏置 低剂量率辐照损伤增强 
典型光电器件^60Coγ射线辐照试验研究被引量：1
《核技术》2010年第8期584-587,共4页刘伟鑫 徐导进 吾勤之 
用60Coγ射线对GaAlAs异质结红外发光二极管OP224和NPN型Si光电三极管OP604进行了电离辐照试验,分析了试验器件在60Coγ射线辐照下氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷的积累效应。结果表明,随着辐照累积剂量的增加,OP224正向电流的最大值...
关键词：光电器件 电离辐照效应 氧化物陷阱电荷 界面态陷阱电荷 
不同基区掺杂浓度NPN双极晶体管电离辐照效应被引量：5
《原子能科学技术》2010年第B09期533-537,共5页席善斌 陆妩 郑玉展 许发月 周东 李明 王飞 王志宽 杨永晖 
国家自然科学基金资助项目(10975182)
对相同工艺制作但基区掺杂浓度不同的国产NPN双极晶体管,在不同剂量率条件下进行60Coγ辐照效应和退火特性研究。结果显示,晶体管基区掺杂浓度不同,对高、低剂量率的辐照响应也不相同,低基区掺杂浓度的晶体管辐照损伤明显高于高基区掺...
关键词：NPN双极晶体管 60Co Γ辐照 基区掺杂浓度 低剂量率辐照损伤增强效应 
大规模集成电路中子和γ射线综合电离辐照效应研究被引量：3
《强激光与粒子束》2005年第5期756-760,共5页徐天容 杨怀民 
研究了反应堆中子和γ射线综合辐照环境下CMOS工艺大规模集成电路的电离辐照效应。通过对80C196KC20和PSD501B1两种不同芯片在该环境下开展综合辐照试验,发现总的静态电流增长不明显。对试验结果综合分析得出在反应堆的综合辐照环境下,...
关键词：单片机系统芯片 中子 射线 电离辐照效应 
不同剂量率下NPN管和NMOSFET管的电离辐照效应被引量：3
《固体电子学研究与进展》2005年第1期29-34,共6页张华林 任迪远 陆妩 崔帅 
研究了 NPN双极晶体管和 NMOSFET在不同剂量率环境下的电离辐照效应。研究表明 ,NPN管在低剂量率辐照下 ,电流增益衰降更为显著 ,且具有真正的剂量率效应 ;而 NMOS管在低剂量率辐照下产生的阈电压负向漂移比高剂量率辐照时小 ,其辐照效...
关键词：剂量率效应 NPN管 NMOS管 增益 阈电压 
不同剂量率下偏置对双极晶体管电离辐照效应的影响被引量：8
《微电子学》2004年第6期606-608,共3页张华林 陆妩 任迪远 崔帅 
　对双极晶体管进行了不同剂量率、不同偏置的电离辐照实验。结果表明,对于不同偏置条件,晶体管在低剂量率辐照下,电流增益都有更为明显的衰降;各种剂量率辐照下,电流增益在发射结反向偏置时比浮空偏置时有更为显著的下降。文章对相关...
关键词：双极晶体管 偏置 剂量率 电离辐照 
MEDICI程序简介及其在电离辐照效应研究中的应用被引量：3
《计算物理》2003年第4期372-376,共5页郭红霞 陈雨生 周辉 张义门 龚仁喜 吕红亮 
　简要介绍了二维半导体器件模拟软件MEDICI的基本特点和使用方法;应用MEDICI程序对MOSFET的总剂量效应、PN结的剂量率效应进行了仿真模拟,建立了电离辐照效应的物理模型,并将模拟结果与实验数据进行了比较.
关键词：MEDICI程序 电离辐照效应 仿真 器件模拟 物理模型 总剂量效应 剂量率效应 MOSFET 金属-氧化物-半导体器件 
pMOS场效应管的X射线和低能强电子束的瞬态电离辐照效应被引量：5
《核技术》1998年第9期534-538,共5页范隆 靳涛 何承发 严荣良 沈志康 
对电离辐照敏感的厚氧化层ｐＭＯＳ场效应管进行了Ｘ射线和低能强流电子束的瞬态辐照实验；通过对阈电压漂移的跟踪监测，研究了ｐＭＯＳ场效应管的瞬态电离辐照效应。运用辐射感生氧化物、界面缺陷模型并结合ＭＯＳ器件寄生二极管等效...
关键词：pMOS场效应管 瞬态 X射线 电子束 电离辐照 
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