刘伟鑫

作品数：9被引量：26H指数：3
导出分析报告
供职机构：上海航天技术研究院更多>>
发文主题：电离辐射效应单粒子效应电离辐射振荡电路抗辐射加固更多>>
发文领域：电子电信航空宇航科学技术核科学技术更多>>
发文期刊：《微电子学》《光学学报》《核技术》《辐射研究与辐射工艺学报》更多>>
所获基金：微光夜视技术国防科技重点实验室基金国家自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-9
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
基于扫描聚焦XPS技术的InGaAs表面清洁研究被引量：4
《光学学报》2021年第5期125-133,共9页荣敏敏 张益军 李诗曼 焦岗成 刘伟鑫 王自衡 舒昭鑫 钱芸生 
国家自然科学基金(61771245,61301023);微光夜视技术重点实验室基金(J20200102)。
为了获得清洁度更高的InGaAs材料表面,利用氢氟酸溶液、盐酸与水的混合溶液、盐酸与异丙醇的混合溶液,研究了化学清洗方法对材料表面碳污染物和氧化物的去除效果,并在此基础上提出了一种与紫外臭氧清洗相结合的方法。利用扫描聚焦X射线...
关键词：材料 InGaAs材料 扫描聚焦X射线 表面污染 化学清洗 
低成本和商业卫星元器件抗辐射保证流程研究被引量：9
《微电子学》2020年第1期78-83,共6页刘伟鑫 汪波 马林东 楼建设 孔泽斌 曾英廉 王昆黍 
上海市工业强基基金资助项目(GYQJ-2019-1-40).
为严格控制低成本卫星和商业卫星的研制成本,并缩短研制周期,有效手段之一是采用工业级器件、普军级器件,甚至是商用货架(Commercial Off-The-Shelf,COTS)器件。但是,研制成本与空间辐射环境适应性之间的矛盾是低等级器件和COTS器件在...
关键词：低成本卫星 商业卫星 低等级器件 COTS器件 抗辐射加固保证 
典型石英钟振的电离辐射效应
《辐射研究与辐射工艺学报》2015年第3期59-64,共6页刘伟鑫 李珍 肖寅枫 吾勤之 王昆黍 宣明 
利用60Coγ-射线源研究宇航用典型石英钟振及其内部SM5009型振荡电路的电离辐射效应,测试辐照条件下钟振输出信号幅度、电源和电流等参数变化情况,分析这些参数变化与振荡电路失效之间的关系。结果表明,辐照条件下SM5009的场氧漏电较为...
关键词：钟振 电离辐射效应 振荡电路 
宇航用SRAM存储器单粒子效应试验研究被引量：3
《上海航天》2013年第3期60-64,共5页曹晖 郑渊 刘伟鑫 吾勤之 
用高能重离子加速器对宇航用典型静态随机(SRAM)存储器进行了单粒子效应模拟试验研究。给出了测试系统、试验样品、辐射源、试验方法及条件,以及所得单位注量重离子引起的单粒子翻转发生次数-线性能量传输值(σ-LET)曲线。讨论了重离子...
关键词：SRAM存储器 单粒子效应 翻转率预估 
典型VDMOSFET单粒子效应及电离总剂量效应研究被引量：5
《核技术》2012年第6期428-433,共6页楼建设 蔡楠 王佳 刘伟鑫 吾勤之 
利用252Cf源和60Coγ射线源对典型VDMOSFET进行单粒子效应和电离总剂量效应模拟试验,给出典型VDMOSFET的单粒子烧毁(SEB)、单粒子栅穿(SEGR)效应测量结果以及不同偏置条件下漏源击穿电压随辐照剂量的变化情况。结果表明,VDMOSFET对SEB和...
关键词：VDMOSFET 单粒子烧毁 单粒子栅穿 电离总剂量效应 
典型DC／DC电源变换器电离辐射效应研究被引量：1
《核技术》2011年第9期675-678,共4页刘伟鑫 宣明 王昆黍 吾勤之 
研究了典型DC/DC电源变换器辐照后不同输出负载、不同输入电压等测试条件下,DC/DC电源变换器输出电压等参数变化情况与辐照剂量之间的关系。研究结果表明,DC/DC电源变换器输出电压衰减程度随输出负载功率增大;输入电压变化对输出电压特...
关键词：DC/DC电源变换器 电离辐射效应 输出负载 输入电压 
星载DC-DC电源转换器总剂量辐射损伤效应研究被引量：2
《原子能科学技术》2011年第7期888-892,共5页高博 余学峰 任迪远 李豫东 李茂顺 崔江维 王义元 吾勤之 刘伟鑫 
对低功率、双输出型DC-DC电源转换器60 Coγ辐照后的总剂量辐射损伤及辐照后退火效应进行研究。探讨了器件在不同负载、不同输入电压条件下输入电流Iin、正路/负路输出电压Vout、正路输出电流Iout、抑制模式下的输入电流Iinhibit等参数...
关键词：DC-DC电源转换器 辐射损伤效应 退火效应 
星用微处理器抗单粒子翻转可靠性预示研究被引量：2
《核技术》2010年第11期832-835,共4页李强 高洁 刘伟鑫 
运用程序占空比概念,对星用微处理器动态和静态单粒子翻转率之间的关系进行了研究,实现了星用微处理器动态单粒子翻转率的预示。将星用微处理器在轨运行期间满足单粒子翻转指标要求的概率与单粒子翻转率和飞行寿命联系起来,探讨了器件...
关键词：星用微处理器 单粒子翻转率 程序占空比 抗单粒子翻转可靠性 
典型光电器件^60Coγ射线辐照试验研究被引量：1
《核技术》2010年第8期584-587,共4页刘伟鑫 徐导进 吾勤之 
用60Coγ射线对GaAlAs异质结红外发光二极管OP224和NPN型Si光电三极管OP604进行了电离辐照试验,分析了试验器件在60Coγ射线辐照下氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷的积累效应。结果表明,随着辐照累积剂量的增加,OP224正向电流的最大值...
关键词：光电器件 电离辐照效应 氧化物陷阱电荷 界面态陷阱电荷 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部