王佳

作品数：8被引量：15H指数：3
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供职机构：中国航天科技集团公司更多>>
发文主题：GAAS_PHEMT砷化镓VDMOSFET单粒子效应单粒子烧毁更多>>
发文领域：电子电信航空宇航科学技术自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《微电子学》《航天标准化》《核技术》更多>>
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新型GaAs HEMT器件寄生电容的优化提取方法
《微电子学》2021年第2期290-294,共5页化宁 王佳 尚会锋 章泉源 高翔 
针对优化提取参数的复杂度问题,提出了一种新的GaAs HEMT器件寄生电容的优化提取方法。提取寄生电容时,设置合适的优化范围,进行优化提参。采用三次参数优化,确保优化精度和模型准确性,避免了循环优化,提高了参数提取效率和参数优化效...
关键词：GaAs HEMT 寄生电容 优化方法 参数提取 
高温及关态应力条件下GaAs pHEMT器件的性能退化研究被引量：1
《微电子学》2020年第6期932-936,共5页化宁 王佳 王茂森 杜祥裕 戴杰 
研究了高温和电学应力下砷化镓赝晶高电子迁移率晶体管的直流特性退化机理。高温下陷阱辅助发射电流引起器件关态漏电上升,而载流子迁移率的退化引起跨导降低;当温度达到450 K时,栅金属的沉降效应会导致跨导异常升高。进一步研究了不同...
关键词：砷化镓 赝晶高电子迁移率晶体管 高温退化 
0.25μm栅长GaAs pHEMT栅极高温及关态应力退化机理被引量：1
《微电子学》2020年第5期761-765,共5页麻仕豪 化宁 张亮 王茂森 王佳 
GaAs赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)的关态栅极漏电流取决于温度与电应力环境。研究了高温与电应力对0.25μm GaAs pHEMT肖特基特性的影响。该pHEMT的反向偏置栅极漏电流主要受陷阱辅助发射机制和隧穿电流机制的影响。建立模型,对不同...
关键词：砷化镓 赝配高电子迁移率晶体管 栅极漏电流 漏电机制 
一种XILINX 7系列FPGA的抗单粒子翻转加固技术
《航天标准化》2020年第2期40-44,共5页王冠雄 王佳 孙逸帆 滕树鹏 鲍迪 
为解决XILINX公司7系列FPGA受SEU(单粒子翻转)的影响,采用一种基于软件错误缓解IP核(SEM IP)的新型回读刷新技术,使用SEM IP的故障注入方法并进行故障注入实验及单粒子实验。实验证明,该技术可在FPGA配置位流数据结构未知的情况下,以帧...
关键词：SEU(单粒子翻转) SRAM型FPGA 抗辐加固 回读刷新 
一种星载信息系统微系统电路设计被引量：3
《航天标准化》2020年第2期32-35,共4页何志敏 王佳 程利甫 何俊 李欣欣 
上海市科学技术委员会优秀技术带头人计划项目:基于微系统技术面向空间信息应用的高性能全自主架构星载计算机研究(项目编号:19XD1431400)
基于星载信息系统高集成化、轻小型化和智能化的发展需求,微系统电路通过SOC/SIP等先进集成电路设计技术将CPU、FPGA及相关功能的裸芯片高密度集成。相比传统卫星研制方式,微系统电路的体积、重量、功耗显著减小,且产品研制周期由于模...
关键词：星载信息系统 微系统电路 架构设计优化 抗辐照加固 
航天元器件自主发展的思考与实践被引量：5
《航天标准化》2019年第4期13-15,共3页王佳 于文清 
分析航天元器件发展现状和现阶段面临的问题,从航天用户角度提出航天元器件自主发展的总体思路,提出从责任落实、制度建设、需求梳理、优化统型、供应商管理等方面加强工作的建议。
关键词：航天元器件 国产元器件 质量管理 
红外探测器组件可靠性保证技术被引量：1
《上海航天》2014年第4期50-53,共4页朱美光 钱秋瑛 王佳 
分析了影响碲镉汞长线列红外焦平面探测器组件固有可靠性的因素。讨论了空间环境对组件可靠性的影响。提出了组件固有和使用可靠性提高、使用中关键技术和建立组件实际宇航应用信息库等提高组件可靠性的措施。
关键词：红外遥感系统 红外焦平面探测器组件 可靠性 
典型VDMOSFET单粒子效应及电离总剂量效应研究被引量：5
《核技术》2012年第6期428-433,共6页楼建设 蔡楠 王佳 刘伟鑫 吾勤之 
利用252Cf源和60Coγ射线源对典型VDMOSFET进行单粒子效应和电离总剂量效应模拟试验,给出典型VDMOSFET的单粒子烧毁(SEB)、单粒子栅穿(SEGR)效应测量结果以及不同偏置条件下漏源击穿电压随辐照剂量的变化情况。结果表明,VDMOSFET对SEB和...
关键词：VDMOSFET 单粒子烧毁 单粒子栅穿 电离总剂量效应 
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