蔡楠

作品数：1被引量：5H指数：1
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典型VDMOSFET单粒子效应及电离总剂量效应研究被引量：5
《核技术》2012年第6期428-433,共6页楼建设 蔡楠 王佳 刘伟鑫 吾勤之 
利用252Cf源和60Coγ射线源对典型VDMOSFET进行单粒子效应和电离总剂量效应模拟试验,给出典型VDMOSFET的单粒子烧毁(SEB)、单粒子栅穿(SEGR)效应测量结果以及不同偏置条件下漏源击穿电压随辐照剂量的变化情况。结果表明,VDMOSFET对SEB和...
关键词：VDMOSFET 单粒子烧毁 单粒子栅穿 电离总剂量效应 
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