云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- VDMOSFET

VDMOSFET: 作品数：66被引量：91H指数：5; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：王中文石广源高嵩张颖蔡理更多>>; 相关机构：辽宁大学西安电子科技大学杭州谱析光晶半导体科技有限公司泰科天润半导体科技(北京)有限公司更多>>; 相关期刊：《微处理机》《微电子学》《混合微电子技术》《微纳电子技术》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划沈阳市科技局资助项目四川省科技支撑计划更多>>

基于TCAD的阶梯源VDMOSFET单粒子烧毁的研究: 《杭州电子科技大学学报(自然科学版)》2025年第1期11-18,共8页项君王颖于成浩; 国家自然科学基金重大科研仪器研制项目(62027814)。; 通过二维数值仿真工具给出了加固前后1.7 kV碳化硅(4H-SiC)功率VDMOSFET单粒子烧毁(SEB)的仿真结果。研究结果表明,与传统的五缓冲层的VDMOSFET(FB-VDMOSFET)相比,改进后的VDMOSFET在高线性能量密度(linear energy transfer, LET)值范...; 关键词：单粒子烧毁集成二极管高可靠性线性能量密度

高压VDMOSFETRon最佳化比例设计研究: 《中国设备工程》2023年第24期133-135,共3页英秀; 正文以正方形单胞为例,较系统地分析了VDMOSFET的特征导通电阻Ron与结构参数之间的关系。重点讨论了N沟道VDMOSFET的P^(-)体扩散区结构Xjp^(-)和栅氧化物厚度Tox对器件特性导通电阻Ron的影响,给出了多晶硅窗口区尺寸Lw和多晶区尺寸Lp的...; 关键词：VDMOSFET 单胞特征导通电阻结深氧化层厚度

一种适合于OLED电视电源应用的新型超级结MOSFET: 《半导体技术》2020年第12期948-956,共9页王俊生肖胜安彭俊彪; 提出了一种新型超级结MOSFET结构,通过优化Si表面漂移区的杂质分布以抑制器件的结型场效应管(JFET)效应,改善器件特性。首先通过技术计算机辅助设计(TCAD)模拟并对比了新型超级结MOSFET和现有超级结MOSFET的电场强度分布、栅漏耦合电容...; 关键词：超级结MOSFET 纵向双扩散MOSFET(VDMOSFET) 电磁干扰(EMI) 有机发光二极管(OLED)电视电源

4H-SiC基半超结VDMOSFET单粒子烧毁效应被引量：1: 《空军工程大学学报（自然科学版）》2018年第3期95-100,共6页刘忠永蔡理刘保军刘小强崔焕卿杨晓阔; 国家自然科学基金(11405270); 4H-SiC半超结垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管(VDMOSFET)由于N型底部辅助层(NBAL)的引入,可以采用相对较小深宽比的超结结构,从而降低了制造工艺的成本与难度。利用器件仿真器Atlas建立了器件的二维仿真结构,对4H-SiC超结和半超结VD...; 关键词：4H-SIC 垂直双扩散MOSFET 半超结单粒子烧毁

4H-SiC基半超结VDMOSFET单粒子效应加固研究被引量：2: 《电力电子技术》2017年第9期64-67,共4页刘忠永蔡理刘保军刘小强; 国家自然科学基金(11405270)~~; 研究了"高K栅"介质HfO_2和电荷失配对4H-碳化硅(SiC)基半超结垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOSFET)单粒子烧毁(SEB)和单粒子栅穿(SEGR)效应的影响,并给出了一种加固结构。研究结果表明,HfO_2介质的应用对器件SEB效应没有影...; 关键词：垂直双扩散金属氧化物半导体效应管单粒子效应

晶圆各向异性对4H-SiC基VDMOSFET单粒子效应的影响被引量：3: 《固体电子学研究与进展》2017年第4期234-238,256,共6页刘忠永蔡理刘保军刘小强崔焕卿杨晓阔; 国家自然科学基金资助项目(11405270); 研究了晶圆各向异性对4H-SiC基垂直双扩散MOSFET(VDMOSFET)单粒子效应的影响。建立了器件二维仿真结构,选取合适的仿真模型并对参数进行了修正。仿真结果表明,基于(0001)和(11 2-0)晶圆器件的单粒子烧毁(SEB)阈值电压(V_(SEB))分别为350...; 关键词：4H-SIC 晶圆各向异性单粒子烧毁单粒子栅穿

Effects of electron radiation on commercial power MOSFET with buck converter application被引量：1: 《Nuclear Science and Techniques》2017年第3期30-34,共5页Sheik Fareed Ookar Abubakkar Nor Farahidah Zabah Yusof Abdullah Dhiyauddin Ahmad Fauzi Norasmahan Muridan Nurul Fadzlin Hasbullah; funded by International Islamic University Malaysia(No.EDW B14-159-1044); Microelectronic power converters such as buck and boost converter are required to be tolerant to radiations including electron radiation. This paper examines electron radiation effects on the Ⅰ-Ⅴ characteristics of ...; 关键词：VDMOSFET I–V characteristics DRAIN current BUCK CONVERTER ELECTRON radiation

4H-SiC和6H-SiC功率VDMOSFET的单粒子烧毁效应被引量：12: 《微纳电子技术》2017年第2期80-85,共6页刘忠永蔡理刘小强刘保军崔焕卿杨晓阔; 国家自然科学基金资助项目(11405270); 对基于4H-SiC和6H-SiC的垂直双扩散MOSFET(VDMOSFET)的单粒子烧毁(SEB)效应进行了对比研究。建立了器件的二维仿真结构,对不同SiC材料构成的器件物理模型及其材料参数进行了修正。利用Silvaco TCAD软件进行了二维器件的特性仿真,得到了...; 关键词：碳化硅(SIC) 单粒子烧毁(SEB) 垂直双扩散MOSFET((VDMOSFET)) SEB阈值电压二维器件仿真

一种沟槽型场限环VDMOSFET终端结构被引量：3: 《微电子学》2016年第1期132-135,共4页石存明冯全源; 国家自然科学基金资助项目(61271090;61531016);四川省科技支撑计划项目(2015GZ0103); 场限环结构以其简单的工艺和较高的效率,在垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管终端结构中得到广泛应用,但其性能的提高也有限制。沟槽型终端结构对刻蚀工艺要求较高,并未在实际生产中得到大量应用。将场限环终端结构与沟槽终端结构相结合...; 关键词：场限环沟槽终端击穿电压

一种高压功率器件场板技术的改进与设计被引量：1: 《微电子学》2015年第2期258-261,共4页李宏杰冯全源陈晓培; 国家自然科学基金项目(61271090);国家高技术研究发展计划(863计划)重大项目(2012AA012305); 为了解决功率器件高击穿电压与减小表面最大电场需求之间的矛盾,提出了一种高压功率器件终端场板改进方法。通过调节金属场板和多晶硅场板的长度,使金属场板覆盖住多晶硅场板,最终使得两者的场强相互削弱,从而减小表面最大电场。采用TCA...; 关键词：VDMOSFET终端结构金属多晶硅场板场限环表面最大电场强度

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