崔焕卿

作品数：14被引量：25H指数：3
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供职机构：空军工程大学理学院更多>>
发文主题：QCA量子元胞自动机自旋调制型4H-SIC更多>>
发文领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
发文期刊：《物理学报》《微纳电子技术》《固体电子学研究与进展》更多>>
所获基金：国家自然科学基金陕西省自然科学基金博士后科研启动基金更多>>
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基于应变调制型磁性隧道结的自动置位逻辑门电路被引量：2
《微纳电子技术》2018年第2期84-90,共7页徐立 蔡理 崔焕卿 王森 杨晓阔 冯朝文 
国家自然科学基金资助项目(61302022,61401498)
建立了应变调制型磁性隧道结（MTJ）器件的HSpice电路仿真模型,分析了该器件的转换特性。基于所建立的模型并结合BSIM4 90 nm CMOS模型,设计了一种非易失性自动置位逻辑门电路。分析了4种组合输入电压作用下电路中MTJ磁阻的转变特性。...
关键词：应变调制型磁性隧道结(MTJ) 电路模型 或非(NOR)逻辑 与非(NAND)逻辑 CMOS 
椭圆柱纳磁体全自旋逻辑器件开关特性
《微纳电子技术》2017年第12期801-807,共7页李成 蔡理 王森 刘保军 崔焕卿 危波 
国家自然科学基金资助项目(11405270);陕西省自然科学基础研究计划资助项目(2017JM6072)
基于自旋传输和磁动力学耦合模型,研究了纳磁体形状对全自旋逻辑(ASL)器件临界开关电流以及开关延迟时间和功耗的影响。仿真结果显示,由于椭圆柱纳磁体构成的ASL器件易磁化轴方向退磁因子相比长方体纳磁体器件要小,所以其形状各向异性...
关键词：全自旋逻辑(ASL)器件 纳磁体形状 退磁因子 临界开关电流 开关特性 
应变调制型磁性隧道结器件建模及其转换特性研究
《固体电子学研究与进展》2017年第6期395-400,423,共7页徐立 蔡理 崔焕卿 王森 杨晓阔 冯朝文 
国家自然科学基金资助项目(61302022;61401498)
基于反映磁性隧道结自由层的磁化强度转换特性的Landau-Lifshitz-Gilbert方程,并参考基尔霍夫电流定律及电容元件伏安特性,建立了应变调制型磁性隧道结器件的HSpice电路仿真模型。分析了器件在不同幅值的输入电压下的转换特性。仿真结...
关键词：应变调制 磁性隧道结 HSpice模型 转换特性 
石墨烯沟道全自旋逻辑器件开关特性被引量：1
《物理学报》2017年第20期262-269,共8页李成 蔡理 王森 刘保军 崔焕卿 危波 
国家自然科学基金(批准号:11405270);陕西省自然科学基础研究计划(批准号:2017JM6072;2014JQ8343)资助的课题~~
由于石墨烯的电导率相比典型的金属材料更大,自旋弛豫时间更长,自旋轨道相互作用更弱,从而在相同的注入电流情况下,自旋电流在石墨烯材料中的耗散作用更弱.基于自旋传输和磁化动力学耦合模型,研究了石墨烯沟道全自旋逻辑器件的开关特性...
关键词：全自旋逻辑器件 石墨烯 沟道尺寸 开关特性 
晶圆各向异性对4H-SiC基VDMOSFET单粒子效应的影响被引量：3
《固体电子学研究与进展》2017年第4期234-238,256,共6页刘忠永 蔡理 刘保军 刘小强 崔焕卿 杨晓阔 
国家自然科学基金资助项目(11405270)
研究了晶圆各向异性对4H-SiC基垂直双扩散MOSFET(VDMOSFET)单粒子效应的影响。建立了器件二维仿真结构,选取合适的仿真模型并对参数进行了修正。仿真结果表明,基于(0001)和(11 2-0)晶圆器件的单粒子烧毁(SEB)阈值电压(V_(SEB))分别为350...
关键词：4H-SIC 晶圆各向异性 单粒子烧毁 单粒子栅穿 
应变调制型多铁异质结器件的HSpice电路建模
《微纳电子技术》2017年第3期145-149,193,共6页徐立 蔡理 崔焕卿 王森 杨晓阔 冯朝文 
国家自然科学基金资助项目(61302022;61401498)
由于具有天然的非易失性和极低的动态功耗,应变调制型多铁异质结在后摩尔时代新型电子技术中具有广阔的应用前景。通过分析反映磁致伸缩层磁化强度动态特性的Landau-LifshitzGilbert(LLG)方程,并参考电容的伏安特性,建立了该器件的一种H...
关键词：应变调制多铁异质结 Landau-Lifshitz-Gilbert(LLG)方程 HSPICE 转换特性 磁化强度 
4H-SiC和6H-SiC功率VDMOSFET的单粒子烧毁效应被引量：12
《微纳电子技术》2017年第2期80-85,共6页刘忠永 蔡理 刘小强 刘保军 崔焕卿 杨晓阔 
国家自然科学基金资助项目(11405270)
对基于4H-SiC和6H-SiC的垂直双扩散MOSFET(VDMOSFET)的单粒子烧毁(SEB)效应进行了对比研究。建立了器件的二维仿真结构,对不同SiC材料构成的器件物理模型及其材料参数进行了修正。利用Silvaco TCAD软件进行了二维器件的特性仿真,得到了...
关键词：碳化硅(SIC) 单粒子烧毁(SEB) 垂直双扩散MOSFET((VDMOSFET)) SEB阈 值电压 二维器件仿真 
基于多铁逻辑的铁磁耦合互连线磁化动态模拟被引量：2
《物理学报》2016年第23期269-274,共6页杨晓阔 张斌 崔焕卿 李伟伟 王森 
国家自然科学基金(批准号:61302022);空军工程大学理学院博士后科研启动基金(批准号:2015BSKYQD03)资助的课题~~
建立了多铁纳磁体逻辑器件的铁磁耦合作用模型,通过施加应变时钟对铁磁耦合互连线的磁化动态进行了理论模拟.结果表明:合适的应力(19.7—20.1 MPa)能够实现近180?磁化翻转,完成逻辑态在铁磁耦合互连线中的正确传递;多铁纳磁体间的强耦...
关键词：多铁逻辑 铁磁耦合 互连线 磁化动态 
基于钴和坡莫合金纳磁体的全自旋逻辑器件开关特性研究被引量：4
《物理学报》2016年第9期348-357,共10页王森 蔡理 崔焕卿 冯朝文 王峻 齐凯 
国家自然科学基金(批准号:61172043);陕西省自然科学基础研究计划项目(批准号:2014JQ8343);空军工程大学理学院博士(后)科研资助基金(批准号:2013BSKYQD10)资助的课题~~
基于纳磁体动力学和自旋传输机理,建立了全自旋逻辑(ASL)器件的自旋传输-磁动力学模型.基于该模型分别研究了钴纳磁体构成的全自旋逻辑(CoASL)器件和坡莫合金纳磁体构成的全自旋逻辑(PyASL)器件在不同沟道长度和电源电压下的开关特性....
关键词：全自旋逻辑 自旋转矩 自旋传输 Landau-Lifshitz-Gilbert-Slonczewski方程 
双极性忆阻器模型参数对蕴含逻辑门的影响被引量：2
《微纳电子技术》2016年第4期220-226,共7页张波 蔡理 冯朝文 王森 杨晓阔 张明亮 秦涛 刘小强 崔焕卿 
国家自然科学基金青年科学基金资助项目(61401498);陕西省自然科学基金资助项目(2014JQ8343)
首先深入分析了具有阈值特性的双极性忆阻器模型的阈值电压和高低阻态开关特性,然后基于此模型设计了蕴含逻辑门电路,该设计有效解决了由线性漂移忆阻器模型构建的蕴含逻辑门电路存在的状态漂移问题。最后分别研究了忆阻值变化快慢参数(...
关键词：阈值 忆阻器模型 蕴含逻辑门 状态漂移 运算速度 功率损耗 
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