互连线

作品数：348被引量：547H指数：9
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板级高速互连线的物理特征优化方法
《信息技术与信息化》2024年第3期128-131,共4页梁卓灏 杨其宇 
针对板级高速互连线的物理特征优化问题,采用非支配排序遗传算法Ⅲ(NSGA-Ⅲ)、推拉搜索算法(PPS)和TIGE2算法对其进行优化,主要针对板级高速互连线信号完整性的反射、串扰和损耗的多目标优化问题,并结合实际工程设计时的生产工艺、性能...
关键词：遗传算法 信号完整性 板级高速互连线 非线性约束 多目标优化 
企业的“芯动力”人才——集成电路工程技术人员新职业介绍
《中国培训》2024年第2期61-64,共4页史江义 
一、什么是集成电路工程技术人员(一)职业定义集成电路工程技术人员是从事集成电路工艺、器件、电路、微系统等研究、开发、设计、制造和使用、维护的工程技术人员。(二)定义解读集成电路(Integrated Circuit,IC)是指一种微型电子器件...
关键词：工程技术人员 电感器 集成电路工艺 电阻器 电容器 互连线 电子器件 晶体管 
工艺参数对阻挡层CMP后互连线厚度一致性的影响
《电子元件与材料》2023年第11期1370-1376,共7页王海英 王辰伟 刘玉岭 赵红东 
国家自然科学基金(62074049);天津市科技计划项目(21YDTPJC00050);光电信息控制和安全技术重点实验室基金(2021JCJQLB055008)。
为了有效控制铜互连阻挡层化学机械平坦化(CMP)后互连线厚度(THK),优化其一致性,研究了抛光液流量、边缘压力及抛光时间等工艺参数对铜(Cu)、介质(TEOS)去除速率,以及对图形片CMP后THK一致性的影响。采用无氧化剂H2O2、无缓蚀剂BTA的弱...
关键词：铜互连 阻挡层 工艺参数 互连线厚度 去除速率 
铜互连阻挡层化学机械抛光时互连线厚度的控制
《电镀与涂饰》2023年第15期57-64,共8页王海英 王辰伟 刘玉岭 赵红东 杨啸 陈志博 王雪洁 
国家自然科学基金(62074049);天津市科技计划项目(21YDTPJC00050)。
集成电路铜互连沟槽内互连线厚度(THK)影响着集成电路的性能,是集成电路制造工艺重要评定参数之一。基于无氧化剂、无缓蚀剂的碱性抛光液,研究了铜螯合剂FA/O II、介质促进剂柠檬酸钾(CAK)和抑菌剂1,2−苯并异噻唑啉−3−酮(BIT)对铜互连...
关键词：铜互联 阻挡层 化学机械抛光 互连线厚度 去除速率 电阻 
碳纳米材料互连线的单粒子串扰特性研究
《电子学报》2023年第6期1637-1643,共7页刘保军 张爽 李成 
国家自然科学基金(No.11975311,No.11405270)。
碳纳米材料互连线由于其良好的电学、热学和力学特性,成为研究热点.随着技术节点的缩减,串扰效应对电路的影响愈加显著.本文针对单壁碳纳米管束(Single Walled Carbon Nanotube Bundles,SWCNT)、多壁碳纳米管束(Multi Walled Carbon Nan...
关键词：碳纳米管 石墨烯 互连线 单粒子串扰 
基于分段预留法的互连线二维电容提取技术
《微电子学》2023年第3期518-524,共7页蔡志匡 杨航 顾鹏 郭静静 王子轩 郭宇锋 
国家自然科学基金面上项目(61974073)
随着制造工艺的不断演进、电路规模的不断增大,集成电路逐渐进入后摩尔时代。如何准确快速地进行寄生电容参数提取,对于保证设计质量、减少成本和缩短设计周期变得越来越重要。文章提出了一种基于分段预留法的二维电容提取技术,该技术...
关键词：有限差分法 不对称系数矩阵 分段预留 寄生电容 
基于W-ElementRLGC矩阵的板级高速互连线实用建模方法被引量：1
《电子技术（上海）》2023年第2期28-31,共4页黄中铠 梁卓灏 杨其宇 
阐述W-ElementRLGC矩阵的板级高速互连线实用建模方法,利用W-ElementRLGC矩阵与频率无关的特点,减少仿真时间,在设计板级传输线结构时,充分考虑实际布线时场景以及实际应用中PCB板材的规格。在误差率5%的精度范围内,该模型可以替代传统...
关键词：W-ElementRLGC矩阵 板级高速互连线建模 信号完整性 
化学镀钴和超级化学镀填充的研究进展(英文)被引量：2
《电化学》2022年第7期47-56,共10页沈钰 李冰冰 马艺 王增林 
financially supported by the National Natural Science Foundation of China (No. 21972088)。
随着半导体集成度的不断提高,铜互连线的电阻率迅速提高。当互连线宽度接近7 nm时,铜互连线的电阻率与钴接近。IBM和美国半导体公司(ASE)已经使用金属钴取代铜作为下一代互连线材料。然而,钴种子层的形成和超级电镀钴填充7 nm微孔的技...
关键词：化学镀 超级化学镀钴 超级化学镀铜 铜互连线 钴互连线 
一种采用互连线电容耦合的线计算电路设计
《西安电子科技大学学报》2022年第3期213-221,共9页李林 张会红 张跃军 
国家自然基金(61871244,61874078);专用集成电路与系统国家重点实验室开放研究课题基金(2019KF002);宁波市公益性计划项目(202002N3134);宁波市科技计划项目(202003N4107);宁波大学研究生SRIP项目(2020SRIP1320);宁波大学研究生科研创新基金(IF2021158)。
随着集成电路工艺节点的不断推进,互连线间的寄生效应越来越明显。互连线已经成为制约提高芯片计算能力的关键因素之一,考虑将互连线作为逻辑计算的设计方法引起设计者的广泛关注。通过对互连线间电容耦合效应的研究,提出一种采用金属...
关键词：电容耦合 金属互连线 线计算 逻辑门 译码器 
90nm SOI nMOSFET自加热效应研究
《半导体技术》2022年第5期369-372,380,共5页王娟娟 李江江 曾传滨 李逸帆 倪涛 罗家俊 赵发展 
国家自然科学基金资助项目(61804168)。
应用超快脉冲I-V测试系统对不同宽长比的90 nm绝缘体上硅(SOI)nMOSFET的自加热效应展开研究,根据瞬态和稳态漏源电流-漏源电压(I_(ds)-V_(ds))特性的对比结果,分析器件受自加热影响的程度。测试结果显示,宽长比为10μm/0.09μm的器件在...
关键词：绝缘体上硅(SOI) NMOSFET 自加热效应 接触孔 金属互连线 
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