铜互连线

作品数:28被引量:93H指数:6
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化学镀钴和超级化学镀填充的研究进展(英文)被引量:2
《电化学》2022年第7期47-56,共10页沈钰 李冰冰 马艺 王增林 
financially supported by the National Natural Science Foundation of China (No. 21972088)。
随着半导体集成度的不断提高,铜互连线的电阻率迅速提高。当互连线宽度接近7 nm时,铜互连线的电阻率与钴接近。IBM和美国半导体公司(ASE)已经使用金属钴取代铜作为下一代互连线材料。然而,钴种子层的形成和超级电镀钴填充7 nm微孔的技...
关键词:化学镀 超级化学镀钴 超级化学镀铜 铜互连线 钴互连线 
集成电路铜互连线的静态腐蚀速率研究
《北华航天工业学院学报》2021年第1期8-11,共4页张文倩 赵鹏 关晓丹 王同举 栾晓东 
河北省高等学校科学技术研究青年基金项目(QN2020102);北华航天工业学院基金项目(BKY-2018-03);北华航天工业学院课题(JY-2020-49);江苏省自然科学青年基金项目(BK20191005)。
利用静态腐蚀法分别研究了络合剂甘氨酸、氧化剂双氧水、阴离子表面活性剂十二烷基硫酸铵(ADS)、腐蚀抑制剂吡唑在碱性条件下对铜静态腐蚀速率的影响及作用机理。实验结果表明,在一定浓度范围内甘氨酸和双氧水的协同作用会加快Cu的静态...
关键词:互连线铜 抛光液 抑制剂 静态腐蚀速率 
铜互连线低磨料化学机械平坦化机制被引量:6
《稀有金属》2015年第11期1048-1055,共8页李炎 张宏远 刘玉岭 王傲尘 李洪波 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项(2009ZX02308);河北省自然科学基金项目(E2013202247;F2012202094);河北省教育厅基金项目(2011128)资助
主要研究了低磨料浓度下铜互连线的平坦化机制,建立了凸处和凹处的铜膜去除模型,并在MIT 854铜布线片上进行了验证实验,进一步证明了机制模型的正确性。在工作压力存在的条件下,凸处铜膜的去除以化学机械作用为主,凹处铜膜去除以化学作...
关键词:低磨料浓度 化学机械平坦化 机械作用 化学作用 铜互连线 
深宽比对铜互连线残余应力的影响
《电子制作》2014年第12X期23-24,共2页王晓冬 
采用ANSYS有限元软件模拟了不同深宽比铜互连线的残余应力分布情况。结果表明,铜互连线表面和侧壁区域的应力随深宽比升高而增加;底部区域的应力在深宽比接近1时达到最小值。
关键词:铜互连 深宽比 有限元 残余应力 
长等待时间下铜互连线形成球状缺陷的机理研究及解决方案被引量:1
《纳米技术与精密工程》2014年第1期51-55,共5页彭坤 呼翔 罗登贵 王飚 
随着集成电路向高密度小尺寸方向发展,铜互连已成为目前集成电路主要使用的互连技术,但球状缺陷的形成会影响产品的质量.本文研究了长等待时间下铜互连线中球状缺陷的形成机理,分析了其造成器件失效的原因,并提出了相应的解决方案.研究...
关键词:铜互连 等待时间 球状缺陷 器件失效 正交实验 
铜互连线低压无磨料化学机械平坦化技术被引量:6
《稀有金属材料与工程》2012年第4期717-721,共5页刘效岩 刘玉岭 梁艳 胡轶 刘海晓 李晖 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项(2009ZX02308)
在低压无磨料条件下,利用碱性FA/O型螯合剂具有极强螯合能力的特性,对铜互连线进行化学机械平坦化,获得了高抛光速率和表面一致性。提出了铜表面低压无磨料抛光技术的平坦化原理,在分析了抛光液化学组分与铜化学反应机理的基础上,对抛...
关键词:铜互连线 无磨料 低压 FA/O型螯合剂 化学机械平坦化 
300mm铜膜低压低磨料CMP表面粗糙度的研究被引量:7
《半导体技术》2011年第11期836-839,共4页田雨 王胜利 刘玉岭 刘效岩 邢少川 马迎姿 
02国家科技重大专项(2009ZX02308);河北省自然科学基金(E2010000077);天津市自然科学基金项目(10JCZDJC15500)
随着集成电路特征尺寸的减小、低k介质的引入及晶圆尺寸的增加,如何保证在低压无磨料条件下完成大尺寸铜互连线平坦化已经成为集成电路制造工艺发展的关键。采用法国Alpsitec公司的E460E抛光机在低压低磨料的条件下,研究了12英寸(1英寸=...
关键词:铜互连线 低磨料 低压 粗糙度 化学机械抛光 
铝和铜互连线的晶粒结构及残余应力研究
《北京工业大学学报》2010年第1期81-86,共6页王晓冬 卫斌 张隐奇 刘志民 吉元 
国家自然科学基金资助项目(69936020)
采用X射线衍射仪和扫描探针显微镜,观察和测量了分别由大马士革工艺制备的Cu互连线和由反应刻蚀工艺制备的Al互连线的晶粒结构和应力状态.大马士革工艺凹槽中的Cu互连线受到机械应力的影响,使Cu互连线的晶粒尺寸(45~65 nm)小于Al互连...
关键词:Al互连线 Cu互连线 晶粒结构 织构 应力 
石墨纳米带功耗低且发热远低于铜
《现代材料动态》2009年第11期22-22,共1页
据在美国佐治亚理工学院的研究人员称,石墨与传统的尺寸小于22nm宽的铜互连线相比能承载多达近1000倍的电流,且运行时温度也低超过10倍。
关键词:铜互连线 石墨 纳米带 发热 功耗 研究人员 
具有冗余设计的铜互连线电迁移可靠性评估
《固体电子学研究与进展》2009年第4期602-605,共4页杜鸣 马佩军 郝跃 
国家自然科学基金资助项目(编号:60506020)
铜互连的电迁移可靠性与晶粒结构、几何结构、制造工艺以及介质材料等因素有着密切的关系。分别试制了末端有一定延伸的互连线冗余结构设计的样品,以及无冗余结构的互连线样品,并对样品进行了失效加速测试。测试结果显示,采用冗余结构...
关键词:电迁移 失效加速测试 冗余 
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