杜鸣

作品数：4被引量：15H指数：3
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供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文主题：势垒层场板电力电子系统击穿电压功率开关器件更多>>
发文领域：电子电信电气工程更多>>
发文期刊：《西安电子科技大学学报》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
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具有冗余设计的铜互连线电迁移可靠性评估
《固体电子学研究与进展》2009年第4期602-605,共4页杜鸣 马佩军 郝跃 
国家自然科学基金资助项目(编号:60506020)
铜互连的电迁移可靠性与晶粒结构、几何结构、制造工艺以及介质材料等因素有着密切的关系。分别试制了末端有一定延伸的互连线冗余结构设计的样品,以及无冗余结构的互连线样品,并对样品进行了失效加速测试。测试结果显示,采用冗余结构...
关键词：电迁移 失效加速测试 冗余 
CMOS工艺中栅耦合ESD保护电路被引量：6
《西安电子科技大学学报》2006年第4期547-549,共3页杜鸣 郝跃 
国家863高科技项目支持研究(2003AA1Z1630)
为了克服大尺寸静电放电损伤防护元件存在的不均匀导通情况,提出了一种改进的静电放电损伤保护电路方案.该方案利用栅漏交叠区的结扩散电容作为耦合元件,电容耦合作用使大尺寸元件在静电放电损伤事件发生时能够均匀导通,从而有效提高静...
关键词：静电放电损伤 电容耦合 保护电路 
CMOS工艺中GG-NMOS结构ESD保护电路设计被引量：4
《Journal of Semiconductors》2005年第8期1619-1622,共4页杜鸣 郝跃 朱志炜 
国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:2003AA1Z1630)~~
采用GG-NMOS结构的ESD保护电路的工作原理和对其进行的ESD实验,提出了一种保护电路的栅耦合技术方案,并达到了预期效果.通过实验可以看出其性能达到了人体放电模式的2级标准.在模拟的基础上可确定损伤的机理和位置,从而给出了由ESD导致...
关键词：ESD GG-NMOS 人体放电模式 栅耦合 
超深亚微米集成电路的铜互连技术布线工艺与可靠性被引量：5
《西安电子科技大学学报》2005年第1期56-59,共4页杜鸣 郝跃 
国家863高科技项目支持研究项目(2003AA1Z1630)
随着VLSI器件特征尺寸的缩小,对互连集成技术提出了新的要求.铜作为新的互连线材料,能够有效地减小互连延时,提高互连性能.论述了铜互连技术中低k介质材料、势垒层材料以及铜互连布线的大马士革工艺.提出当通孔倾斜角为20°、Ta为势垒...
关键词：铜互连技术 低K介质材料 工艺可靠性 
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