低K介质材料

作品数：3被引量：6H指数：1
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：高宝红汤华莲李聪檀柏梅刘伟峰更多>>
相关机构：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司河北工业大学上海新阳半导体材料股份有限公司西安电子科技大学更多>>
相关期刊：《微纳电子技术》《中国集成电路》《西安电子科技大学学报》更多>>
相关基金：国家高技术研究发展计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-3
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
超低k介质材料低损伤等离子体去胶工艺进展被引量：1
《微纳电子技术》2011年第11期733-738,共6页吴元伟 韩传余 赵玲利 王守国 
国家科技02重大专项基金资助项目(2009ZX0203008)
介绍了三类常见的低k介质材料,并对空气隙(k=1)的发展进行了探讨;讨论了引起等离子体损伤的机理和传统的O2等离子体去胶工艺面临的困难;最后综述了近年来国际上提出的低损伤等离子体去胶工艺的研究进展。人们已经开发出一些对低k材料进...
关键词：等离子体去胶 多孔超低k介质 空气隙 等离子体损伤 损伤修复 金属硬掩膜(MHM) 
超深亚微米集成电路的铜互连技术布线工艺与可靠性被引量：5
《西安电子科技大学学报》2005年第1期56-59,共4页杜鸣 郝跃 
国家863高科技项目支持研究项目(2003AA1Z1630)
随着VLSI器件特征尺寸的缩小,对互连集成技术提出了新的要求.铜作为新的互连线材料,能够有效地减小互连延时,提高互连性能.论述了铜互连技术中低k介质材料、势垒层材料以及铜互连布线的大马士革工艺.提出当通孔倾斜角为20°、Ta为势垒...
关键词：铜互连技术 低K介质材料 工艺可靠性 
0.18μm以下低k介质材料上的低离子等离子体去胶工艺
《中国集成电路》2003年第46期81-85,共5页AxcelisTechnologies QingyuanHan CarloWaldfried OrlandoExcorcia 
本文论述了下游式等离子体在多种Cu／低k材料上去胶及去残留物的工艺应用，主要有3类低k材料的实验数据——有机类、掺氮氧化物和多孔性低k材料，同时论述了在这些对应低k材料上新的等离子体气氛：(1)中性等离子体；(2)无氧和还原性等...
关键词：下游式等离子体 低K介质材料 去胶工艺 掺氮氧化物 多孔性低k材料 等离子体气氛 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部