铜互连技术

作品数：12被引量：25H指数：3
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：翁寿松朱骏郝跃杜鸣王建华更多>>
相关机构：复旦大学北京大学无锡市罗特电子有限公司上海交通大学更多>>
相关期刊：《集成电路应用》《微纳电子技术》《中国集成电路》《安徽电子信息职业技术学院学报》更多>>
相关基金：国家高技术研究发展计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
从铝互连到铜互连--回顾铜革命的20年发展历程
《中国集成电路》2018年第11期79-81,共3页泛林集团 
铜互连技术发展已经步入了第20个年头。然而,即使芯片制造技术已经经历了20年的发展,铜的革命仍然被认为是该行业有史以来最为重大的变化之一。归功于铜的集成,电子产品从此变得速度更快,性能更强大,性价比更高。为了纪念这个重要的里程...
关键词：铜互连技术 芯片制造技术 铝 集成电路 电子产品 二氧化硅 性价比 电介质 
尔必达量产50nm工艺2Gb Mobile RAM存储颗粒
《中国集成电路》2009年第4期4-4,共1页
日本尔必达公司近日宣布，已经在其广岛晶圆厂开始批量生产50nm工艺2Gb Mobile RAM存储颗粒。超低功耗的Mobile RAM内存主要用在手机或掌上影音设备、移动互联网终端中。尔必达的50nm 2Gb Mobile RAM于去年年底开发完成，采用193nm浸润...
关键词：RAM 工艺 颗粒 存储 工作电流 移动互联网 铜互连技术 批量生产 
45nm时代的铜互连：渐进式的改变
《电子工业专用设备》2008年第6期60-60,共1页
“尽管45nm及以下技术节点的铜互连技术已经相对成熟，但是仍需要继续研发新的材料和新的工艺以满足器件方面更高的需要。”来自Novellus的Dr．Bob Havemann在5月28日举办的第五届铜互连及相关技术国际研讨会上讲到，“超低k值的介电材...
关键词：铜互连技术 渐进式 介电材料 国际研讨会 技术节点 低电阻率 BOB 阻挡层 
Cu/低k对45和32nm节点的挑战被引量：2
《集成电路应用》2007年第1期27-27,共1页Peter Singer 
半导体产业正处于限制等比例缩小的基本物理规则开始挑战铜互连技术可扩展性的非常时期。它们包括表面界面所引起的电迁移，基于电子波长与互连尺寸相对大小的电子散射，以及介质常数、电学特性和机械强度等方面的物理极限。这些是Semic...
关键词：铜互连技术 节点 电子散射 物理极限 半导体产业 可扩展性 
铜互连技术被引量：2
《鹭江职业大学学报》2005年第3期60-62,共3页王灵婕 林吉申 
在集成电路中采用双镶嵌工艺制备互连线,铜作为互连线的材料具有低电阻率和较好的抗电迁移能力等优点,同时存在新的缺陷模式如沟槽缺陷、气泡缺陷、金属缺失等,目前的工作主要是该工艺的完善.
关键词：集成电路 铜 互连线 
超深亚微米集成电路的铜互连技术布线工艺与可靠性被引量：5
《西安电子科技大学学报》2005年第1期56-59,共4页杜鸣 郝跃 
国家863高科技项目支持研究项目(2003AA1Z1630)
随着VLSI器件特征尺寸的缩小,对互连集成技术提出了新的要求.铜作为新的互连线材料,能够有效地减小互连延时,提高互连性能.论述了铜互连技术中低k介质材料、势垒层材料以及铜互连布线的大马士革工艺.提出当通孔倾斜角为20°、Ta为势垒...
关键词：铜互连技术 低K介质材料 工艺可靠性 
用于铜互连技术的前瞻性生产系统——Atotech(安美特)公司的Everplate生产系统
《集成电路应用》2004年第9期40-41,共2页刘乃东 王中文 
安美特(Atotech)是全球领先的电镀化学品、设备及工艺供应商。为GMF(装饰性及功能性电镀)、PCB(印刷电路板)及Semiconductor(半导体)行业提供性能卓越的产品。本文将介绍安美特专门针对集成电路制造行业中先进的铜互连工艺而研发的Everp...
关键词：行业 公司 集成电路制造 生产系统 供应商 产品 化学品 铜互连技术 PCB 印刷电路板 
发展互连技术 培养中国人才——访Novellus系统有限公司副总裁Wilbert van den Hoek先生
《中国集成电路》2003年第55期52-52,共1页罗飚 
Novellus 系统有限公司(Novellus Systems Ins)美国 S&P 500股票市场标准名单之一,是一个生产、推销以及维修先进的淀积、表层制备、化学机械抛光等方面的制造今日先进集成电路的设备,总公司在美国加州圣何塞市,并在美国和世界许多国家...
关键词：Novellus系统有限公司 人物采访 人才培养 铜互连技术 半导体制造工艺 
当前世界半导体技术与发展之一瞥
《安徽电子信息职业技术学院学报》2003年第4期74-76,共3页高宗义 
文章介绍了近两年世界半导体发展的主要动向,即0.13微米工艺技术,纳米工艺技术,以及采用300毫米晶片,用铜互连技术取代集成电路中晶体管的铝互连工艺和芯片的发展向着系统级芯片开发的特点。文章还介绍了我国2002年在微电子核心技术上...
关键词：半导体技术 细微加工工艺 微米技术 纳米工艺 硅晶片 系统级芯片 铜互连技术 集成电路 微电子 
90nm工艺及其相关技术被引量：11
《微纳电子技术》2003年第4期40-44,共5页翁寿松 
ITRS2001规划2004年实现90nm工艺,英特尔、AMD等世界顶级半导体公司将于2003年采用90nm工艺量产微处理器和逻辑器件。这样使ITRS2001整整提前了一年。90nm工艺包括193nm光刻技术、高k绝缘材料、高速多层铜互连技术、低k绝缘材料、应变...
关键词：90nm工艺 ArF光刻机 高k/低k绝缘材料 铜互连技术 应变硅技术 电压隔离技术 193nm光刻技术 
全选清除导出
共2页<12>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部