铜互连技术  

Copper Interconnection Technologies

作　　者：王灵婕[1] 林吉申[2] 

机构地区：[1]厦门理工学院电子系,福建厦门361005 [2]福州大学物理与信息工程学院,福建福州350002

出　　处：《鹭江职业大学学报》2005年第3期60-62,共3页Journal of Lujiang University

摘　　要：在集成电路中采用双镶嵌工艺制备互连线,铜作为互连线的材料具有低电阻率和较好的抗电迁移能力等优点,同时存在新的缺陷模式如沟槽缺陷、气泡缺陷、金属缺失等,目前的工作主要是该工艺的完善.This paper introduced copper as substitute for aluminum as the metal interconnection with its low resistance rate and high resist-electron migration ability, briefed on the preparation techniques of Cu, and then discussed the new disfigurement and its solution such as groove disfigurement, bubble disfigurement and metal loosing disfigurement.

关 键 词：集成电路 铜 互连线 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]