刘忠永

作品数：3被引量：14H指数：2
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供职机构：空军工程大学理学院更多>>
发文主题：4H-SICVDMOSFET单粒子烧毁单粒子效应6H-SIC更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《电力电子技术》《微纳电子技术》《固体电子学研究与进展》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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4H-SiC基半超结VDMOSFET单粒子效应加固研究被引量：2
《电力电子技术》2017年第9期64-67,共4页刘忠永 蔡理 刘保军 刘小强 
国家自然科学基金(11405270)~~
研究了"高K栅"介质HfO_2和电荷失配对4H-碳化硅(SiC)基半超结垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOSFET)单粒子烧毁(SEB)和单粒子栅穿(SEGR)效应的影响,并给出了一种加固结构。研究结果表明,HfO_2介质的应用对器件SEB效应没有影...
关键词：垂直双扩散金属氧化物半导体效应管 单粒子效应 
晶圆各向异性对4H-SiC基VDMOSFET单粒子效应的影响被引量：3
《固体电子学研究与进展》2017年第4期234-238,256,共6页刘忠永 蔡理 刘保军 刘小强 崔焕卿 杨晓阔 
国家自然科学基金资助项目(11405270)
研究了晶圆各向异性对4H-SiC基垂直双扩散MOSFET(VDMOSFET)单粒子效应的影响。建立了器件二维仿真结构,选取合适的仿真模型并对参数进行了修正。仿真结果表明,基于(0001)和(11 2-0)晶圆器件的单粒子烧毁(SEB)阈值电压(V_(SEB))分别为350...
关键词：4H-SIC 晶圆各向异性 单粒子烧毁 单粒子栅穿 
4H-SiC和6H-SiC功率VDMOSFET的单粒子烧毁效应被引量：12
《微纳电子技术》2017年第2期80-85,共6页刘忠永 蔡理 刘小强 刘保军 崔焕卿 杨晓阔 
国家自然科学基金资助项目(11405270)
对基于4H-SiC和6H-SiC的垂直双扩散MOSFET(VDMOSFET)的单粒子烧毁(SEB)效应进行了对比研究。建立了器件的二维仿真结构,对不同SiC材料构成的器件物理模型及其材料参数进行了修正。利用Silvaco TCAD软件进行了二维器件的特性仿真,得到了...
关键词：碳化硅(SIC) 单粒子烧毁(SEB) 垂直双扩散MOSFET((VDMOSFET)) SEB阈 值电压 二维器件仿真 
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