高压VDMOSFETRon最佳化比例设计研究  

作　　者：英秀[1] 

机构地区：[1]内蒙古建筑职业技术学院,内蒙古呼和浩特010070

出　　处：《中国设备工程》2023年第24期133-135,共3页China Plant Engineering

摘　　要：正文以正方形单胞为例,较系统地分析了VDMOSFET的特征导通电阻Ron与结构参数之间的关系。重点讨论了N沟道VDMOSFET的P^(-)体扩散区结构Xjp^(-)和栅氧化物厚度Tox对器件特性导通电阻Ron的影响,给出了多晶硅窗口区尺寸Lw和多晶区尺寸Lp的最佳化设计比值与Ron的关系,最后阐述了研究讨论的结构。

关 键 词：VDMOSFET 单胞 特征导通电阻 结深 氧化层厚度 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]