云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 栅极漏电流

栅极漏电流: 作品数：10被引量：10H指数：2; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：廖小平王凯悦王小虎陈子龙闫浩更多>>; 相关机构：东南大学中芯国际集成电路制造(上海)有限公司上海华虹宏力半导体制造有限公司中国科学院更多>>; 相关期刊：《固体电子学研究与进展》《微电子学》《电子科技文摘》《河南科技》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金湖北省自然科学基金国家杰出青年科学基金湖南省自然科学基金更多>>

0.25μm栅长GaAs pHEMT栅极高温及关态应力退化机理被引量：1: 《微电子学》2020年第5期761-765,共5页麻仕豪化宁张亮王茂森王佳; GaAs赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)的关态栅极漏电流取决于温度与电应力环境。研究了高温与电应力对0.25μm GaAs pHEMT肖特基特性的影响。该pHEMT的反向偏置栅极漏电流主要受陷阱辅助发射机制和隧穿电流机制的影响。建立模型,对不同...; 关键词：砷化镓赝配高电子迁移率晶体管栅极漏电流漏电机制

HKMG技术全球相关专利分析: 《河南科技》2017年第4期51-53,共3页董乐王建霞; 本文从专利文献的角度对金属氧化物半导体场效应晶体管中HKMG技术的发展进行了统计分析,介绍了HKMG技术的专利布局情况,为国内相关行业提供参考。; 关键词：HKMG CMOS 栅极漏电流专利分析

高压、快速开关GaN功率晶体管的技术途径: 《功能材料与器件学报》2013年第6期289-294,共6页J.Würfl O.Hilt E.Bahat-Treidel R.Zhytnytska K.Klein P.Kotara F.Brunner A.Knauer O.Krüger M.Weyers G.Trnkle; 本文主要讨论用于功率电子电路中的快速开关GaN器件的技术途径。首先,概述对于在SiC和Si衬底上生长的器件,用于提高击穿电压的最先进技术。然后将这些技术与不同偏压下的动态开关特性联系起来。动态开关特性仍然落后于类似的竞争器件,...; 关键词：缓冲层击穿电压导通电阻开关特性击穿强度栅极漏电流功率器件动态掺杂高压开关

纳米双栅MOSFET栅极漏电流的二维量子模拟(英文): 《微纳电子技术》2011年第5期286-290,共5页唐睿王豪常胜胡月王高峰; National Natural Science Foundation of China under National Outstanding Young Scientist Award (60788402);National Science Foundation of China (60976067);Fundamental Research Funds for the Central Universities (3101033,1101001,3104009); 基于非平衡格林函数(NEGF)的量子输运理论框架,对双栅MOSFET进行了二维实空间数值模拟。在对表征载流子电势的泊松方程自洽求解后,感兴趣的物理量(如亚阈值摆幅、漏致势垒下降、载流子密度、电流密度等)可以被求得,观察了由栅极注入效...; 关键词：非平衡格林函数(NEGF) 量子效应数值模拟双栅MOSFET 栅极漏电流

纳米双栅MOS器件的二维量子模拟被引量：2: 《固体电子学研究与进展》2010年第2期174-179,共6页王豪王高峰常胜黄启俊; 国家杰出青年科学基金项目(60788402); 利用非平衡格林函数法处理开放边界条件的薛定谔方程,与泊松方程自洽求解,在实空间实现了对纳米量级双栅MOS器件的二维量子模拟。与模空间法的仿真效率及模拟结果进行了比较,对栅极漏电流受栅介质、栅与源漏交叠、栅氧层厚度的影响进行...; 关键词：非平衡格林函数双栅金属氧化物半导体场效应管量子力学效应实空间数值模拟栅极漏电流

不同温度退火的HfTiON栅介质MOS电容电特性研究: 《固体电子学研究与进展》2008年第1期142-144,157,共4页陈卫兵徐静平李艳萍许胜国邹晓; 国家自然科学基金资助项目(60376019)资助; 在N2/O2气氛中,使用Ti、Hf靶共反应溅射在衬底Si上淀积一种新型栅介质材料HfTiON,随后分别在N2气氛中600°C和800°C退火2min。电容电压(C-V)特性和栅极漏电流特性测试结果表明,800°C快速热退火(RTA)样品表现出更低的界面态密度、更低...; 关键词：HfTiON 高K栅介质快速热退火共反应溅射栅极漏电流

堆叠栅介质MOS器件栅极漏电流的计算模型被引量：1: 《微电子学》2007年第5期636-639,643,共5页杨红官朱家俊喻彪戴大康曾云; 湖南省青年骨干教师资助项目(湘教通[2005]247号);湖南省自然科学基金资助项目(05JJ30115); 采用顺序隧穿理论和传输哈密顿方法并考虑沟道表面量子化效应,建立了高介电常数堆叠栅介质MOS器件栅极漏电流的顺序隧穿模型。利用该模型数值,研究了Si3N4/SiO2、Al2O3/SiO2、HfO2/SiO2和La2O3/SiO2四种堆叠栅介质结构MOS器件的栅极漏...; 关键词：直接隧穿顺序隧穿高介电常数栅介质 MOS器件

表面预处理对HfO_2栅介质MOS器件漏电特性的影响被引量：2: 《微电子学》2006年第4期441-445,共5页许胜国徐静平李艳萍陈卫兵季峰; 国家自然科学基金资助项目(60376019);湖北省自然科学基金资助项目(2003ABA087); 采用反应磁控溅射方法,在Si衬底上制备了不同表面预处理和不同后退火处理的HfO2栅介质MOS电容。测量了器件的C-V和I-V特性,并进行了高场应力实验。器件的界面特性和栅极漏电机理分析表明,界面态和氧化物陷阱是引起大的栅极漏电流的主要...; 关键词：HFO2 MOS器件栅极漏电流 SILC效应界面态氧化物陷阱

可靠性工程与环境工程: 《电子科技文摘》2000年第12期3-3,共1页; Y2000-62135-270 0019773亚微米互连工艺中电子迁移早期失效分布=Electro-migration on early failure distribution in submicron intercon-nects[会,英]/Gall,M.& Ho,P.S.//1999 IEEEProceedings of International Interconnect Techn...; 关键词：可靠性工程环境工程电子产品可靠性栅极漏电流环境试验机理分析失效机理互连工艺失效分布电子迁移

GaAs MESFET栅极漏电流退化机理分析被引量：4: 《电子产品可靠性与环境试验》2000年第4期8-11,共4页费庆宇黄云; 高温存储试验后某种ＧａＡｓ　ＭＥＳＦＥＴ的栅－漏极正向和反向漏电流增大。为分析失效机理，测定了试验前后栅－漏极低压正向电流随温度的变化，定性估计了试验前后复合－产生中心浓度的变化，确定肖特基势垒接触有源层的复合－产生...; 关键词：漏电流砷化镓 MESFET 栅极

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