纳米双栅MOS器件的二维量子模拟  

Two-dimensional Quantum Modeling of Nanoscale Double Gate MOSFET

作　　者：王豪[1,2] 王高峰[1,2] 常胜[1,2] 黄启俊[1,2] 

机构地区：[1]武汉大学物理学院,武汉430072 [2]武汉大学微电子与信息技术研究院,武汉430072

出　　处：《固体电子学研究与进展》2010年第2期174-179,共6页Research & Progress of SSE

基　　金：国家杰出青年科学基金项目(60788402)

摘　　要：利用非平衡格林函数法处理开放边界条件的薛定谔方程,与泊松方程自洽求解,在实空间实现了对纳米量级双栅MOS器件的二维量子模拟。与模空间法的仿真效率及模拟结果进行了比较,对栅极漏电流受栅介质、栅与源漏交叠、栅氧层厚度的影响进行了研究。A two-dimensional quantum model of nanoscale double gate（DG） MOSFET is implemented in real space.The Schrodinger equation is solved self-consistently with Poisson′s equation by using non-equilibrium Green′s method（NEGF） to treat the open boundary conditions.In addition to the comparison of the simulation efficiency and results with mode space method,the dependence of gate leakage current on high k material,source/drain gate overlap and oxide thickness is examined.

关 键 词：非平衡格林函数 双栅金属氧化物半导体场效应管 量子力学效应 实空间 数值模拟 栅极漏电流 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]