胡月

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发文主题:草酰氯Α-酮酸格氏试剂格氏反应碱性水解更多>>
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纳米双栅MOSFET栅极漏电流的二维量子模拟(英文)
《微纳电子技术》2011年第5期286-290,共5页唐睿 王豪 常胜 胡月 王高峰 
National Natural Science Foundation of China under National Outstanding Young Scientist Award (60788402);National Science Foundation of China (60976067);Fundamental Research Funds for the Central Universities (3101033,1101001,3104009)
基于非平衡格林函数(NEGF)的量子输运理论框架,对双栅MOSFET进行了二维实空间数值模拟。在对表征载流子电势的泊松方程自洽求解后,感兴趣的物理量(如亚阈值摆幅、漏致势垒下降、载流子密度、电流密度等)可以被求得,观察了由栅极注入效...
关键词:非平衡格林函数(NEGF) 量子效应 数值模拟 双栅MOSFET 栅极漏电流 
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