云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 双栅MOSFET

双栅MOSFET: 作品数：23被引量：18H指数：3; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：李伟华甘学温张兴王睿赵青云更多>>; 相关机构：北京大学中国科学院安徽大学东南大学更多>>; 相关期刊：《微处理机》《微电子学》《微纳电子技术》《电子器件》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金江苏省“六大人才高峰”高层次人才项目国家重点基础研究发展计划中央高校基本科研业务费专项资金更多>>

垂直双栅MOSFET的性能设计和仿真分析: 《电子设计工程》2019年第20期36-39,44,共5页李青王昊鹏荆发标; 针对纳米器件应用程序,本文设计了两侧绝缘支柱上带有双栅结构的垂直金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET);考虑掺杂效应对垂直通道长度的影响,并对这些Lg=50nm的小型设备的工作效果进行分析;将Lg为50nm的设备与传统平面MOSFET进行比较...; 关键词：垂直MOSFET 掺杂效应平面MOSFET 电介质容器短沟道效应

纳米双栅MOSFET噪声输运特性的分析: 《科技创新与应用》2018年第20期20-21,25,共3页丁兵; 陕西省教育厅自然科学专项"基于微波与射频器件噪声的测试与应用研究"(编号:16JK1016); 在双栅纳米MOSFET中,输运参数对器件输运机制描述至关重要。文章主要对纳米双栅MOSFET输运的背散射系数进行研究,分别得到了器件在线性区和饱和区的背散射系数公式,并用Matlab编程体现背散射系数随沟道长度、温度和偏置电压的变化关系,...; 关键词：双栅MOSFET 噪声输运机制 MATLAB

双栅MOSFET沟道侧壁绝缘柱(DP)表面势解析模型被引量：1: 《固体电子学研究与进展》2015年第5期424-428,共5页李尚君高珊储晓磊; 国家核高基重大专项资助项目(2010ZX0103 0-001-001-004); 采用抛物线近似方法求解二维泊松方程,建立了漏端沟道侧壁绝缘柱表面电势解析模型。在该解析模型下,求解了不同漏压下的表面势,并与Atlas仿真结果做对比。比较了在相同条件下,DPDG MOSFET与DG MOSFET的沟道侧壁电势与电场分布。在不同...; 关键词：双栅内嵌绝缘柱金属氧化物半导体场效应晶体管沟道侧壁绝缘柱表面势电荷分享漏感应势垒降低效应短

高k栅介质对短沟道双栅极MOSFET性能的影响: 《新疆大学学报（自然科学版）》2015年第3期373-378,共6页亚森江.吾甫尔买买提明.艾尼买买提热夏提.买买提阿布都艾则孜.阿布来提; 国家自然科学基金(61366001;61464010); 不断缩小半导体器件尺寸将引起二氧化硅绝缘层厚度逐渐地减薄,从而导致从栅极泄漏到衬底的栅极漏电流的明显增加,这制约了MOSFET性能的提升.为了进一步了解采用高k电介质材料增强MOSFET性能的物理机制,本文通过采用基于非平衡格林函数...; 关键词：器件性能高k 漏电流双栅MOSFET

短沟道双栅MOSFET的亚阈值特性分析被引量：3: 《固体电子学研究与进展》2014年第2期101-105,共5页朱兆旻王睿赵青云顾晓峰; 专用集成电路与系统国家重点实验室开放研究课题基金资助项目(11KF003);中央高校基本科研业务费专项资助项目(JUS-RP51323B,JUSRP211A37);江苏高校优势学科建设工程(PAPD);江苏省六大人才高峰资助项目(DZXX-053); 基于泊松方程和拉普拉斯方程,结合双栅MOSFET的边界条件,采用牛顿-拉夫逊迭代法推导了双栅MOSFET亚阈值区全沟道的电势解析解。在亚阈值区电流密度方程的基础上,提出了双栅MOSFET的一个亚阈值电流模型,并获得了亚阈值摆幅的解析公式。...; 关键词：双栅金属-氧化物-半导体场效应管亚阈值特性摆幅短沟道效应

短沟道双栅MOSFET二维表面势解析模型被引量：3: 《固体电子学研究与进展》2013年第4期323-328,共6页王睿赵青云朱兆旻顾晓峰; 国家自然科学基金资助项目(11074280);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(JUSRP51323B,JUDCF12032);专用集成电路与系统国家重点实验室开放研究课题基金资助项目(11KF003);江苏高校优势学科建设工程(PAPD)及江苏省六大人才高峰资助项目(DZXX-053); 采用分解电势的方法求解二维泊松方程,建立了考虑电子准费米势的短沟道双栅MOSFET的二维表面势模型,并在其基础上导出了阈值电压、短沟道致阈值电压下降效应和漏极感应势垒降低效应的解析模型。研究了不同沟道长度、栅压和漏压情况下的...; 关键词：双栅金属氧化物半导体场效应管表面势阈值电压短沟道效应解析模型

纳米双栅MOSFET栅极漏电流的二维量子模拟(英文): 《微纳电子技术》2011年第5期286-290,共5页唐睿王豪常胜胡月王高峰; National Natural Science Foundation of China under National Outstanding Young Scientist Award (60788402);National Science Foundation of China (60976067);Fundamental Research Funds for the Central Universities (3101033,1101001,3104009); 基于非平衡格林函数(NEGF)的量子输运理论框架,对双栅MOSFET进行了二维实空间数值模拟。在对表征载流子电势的泊松方程自洽求解后,感兴趣的物理量(如亚阈值摆幅、漏致势垒下降、载流子密度、电流密度等)可以被求得,观察了由栅极注入效...; 关键词：非平衡格林函数(NEGF) 量子效应数值模拟双栅MOSFET 栅极漏电流

安捷伦科技公司宣布推出用于ADS软件的NXP Semiconductors的射频小信号产品设计套件: 《国外电子测量技术》2010年第2期92-92,共1页; 安捷伦科技公司推出支持安捷伦先进设计系统（ADS）的恩智浦半导体公司（NXP Semiconductors）的射频小信号产品设计套件。该设计套件可使恩智浦的客户在ADS软件中轻松使用恩智浦射频宽带器件、二极管、功能FET、双栅MOSFET和MMIC的全...; 关键词：安捷伦科技公司 ADS软件产品设计小信号套件射频双栅MOSFET 半导体公司

安捷伦科技推出用于ADS软件的NXP Semiconductors的射频小信号产品设计套件被引量：1: 《电子测试》2010年第3期96-96,共1页; 安捷伦科技公司（NYSE：A）日前宣布推出支持安捷伦先进设计系统（ADS）的恩智浦半导体公司（NXP Semiconductors）的射频小信号产品设计套件。该设计套件可使恩智浦的客户在ADS软件中轻松使用恩智浦射频宽带器件、二极管、功能FET、双...; 关键词：安捷伦科技公司 ADS软件产品设计小信号套件射频双栅MOSFET 半导体公司

一种基于载流子的双栅MOSFET解析模型: 《Journal of Semiconductors》2006年第z1期242-247,共6页何进陶亚东边伟刘峰牛旭东宋岩; 提出一种全新的基于载流子求解的双栅MOSFET解析模型.针对无掺杂对称双栅MOSFET结构,该模型由求解泊松方程的载流子分布和Pao-Sah电流形式直接发展而来.发展的解析模型完全基于MOSFET的基本器件物理进行直接推导,结果覆盖了双栅MOSFET...; 关键词：MOSFETS 器件物理非传统MOSFET 双栅结构器件模型载流子方法

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