一种基于载流子的双栅MOSFET解析模型  

A Carrier-Based Analytic Model for the Undoped Symmetric Double-Gate MOSFETs

作　　者：何进[1,2] 陶亚东[2] 边伟 刘峰 牛旭东[2] 宋岩 

机构地区：[1]北京大学微电子学研究院,北京100871 [2]北京大学深圳研究生院信息工程学院,深圳518055

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第z1期242-247,共6页半导体学报（英文版）

摘　　要：提出一种全新的基于载流子求解的双栅MOSFET解析模型.针对无掺杂对称双栅MOSFET结构,该模型由求解泊松方程的载流子分布和Pao-Sah电流形式直接发展而来.发展的解析模型完全基于MOSFET的基本器件物理进行直接推导,结果覆盖了双栅MOSFET所有的工作区:从亚阈到强反型和从线性到饱和区,不需要任何额外假设和拟合参数.模型的预言结果被2D数值模拟很好地验证,表明该解析模型是一个理想的双栅MOSFET建模架构.

关 键 词：MOSFETS 器件物理 非传统MOSFET 双栅结构 器件模型 载流子方法 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]