赵青云

作品数：6被引量：7H指数：2
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发文主题：短沟道解析模型短沟道效应阈值电压双栅MOSFET更多>>
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短沟道三材料柱状围栅MOSFET的解析模型
《固体电子学研究与进展》2015年第4期311-316,365,共7页赵青云 于宝旗 苏丽娜 顾晓峰 
江苏省自然科学基金资助项目(BK2012110);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(JUSRP51323B,JUDCF12032);江苏省普通高校研究生创新计划资助项目(CXLX12_0724);江苏省六大人才高峰资助项目(DZXX-053)
在柱坐标系下利用电势的抛物线近似,求解二维泊松方程得到了短沟道三材料柱状围栅金属氧化物半导体场效应管的中心及表面电势。推导了器件阈值电压、亚阈值区电流和亚阈值摆幅的解析模型,分析了沟道直径、栅氧化层厚度和三栅长度比对阈...
关键词：三材料柱状围栅金属氧化物半导体场效应管 表面势 阈值电压 亚阈值区电流 亚阈值摆幅 
短沟道无结柱状围栅MOSFET的解析模型被引量：1
《固体电子学研究与进展》2014年第6期526-530,544,共6页赵青云 于宝旗 朱兆旻 顾晓峰 
专用集成电路与系统国家重点实验室开放研究课题基金资助项目(11KF003);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(JUSRP51323B,JUSRP211A37);江苏高校优势学科建设工程(PAPD);江苏省六大人才高峰资助项目(DZXX-053)
通过在柱坐标系下求解二维泊松方程,建立了短沟道无结柱状围栅金属氧化物半导体场效应管的电势模型,并推导了阈值电压、亚阈值区电流和亚阈值摆幅的解析模型。在此基础上,分析了沟道长度、沟道直径和栅氧化层厚度等参数对阈值电压、亚...
关键词：二维泊松方程 无结柱状围栅金属氧化物半导体场效应管 阈值电压 亚阈值区电流 亚阈值摆幅 
含弹道输运模型的纳米尺寸GaAs HEMT电流方程
《半导体技术》2014年第9期679-683,共5页朱兆旻 赵青云 于宝旗 
专用集成电路与系统国家重点实验室开放研究课题基金资助项目(11KF003)
提出了一个包含改进的准弹道输运模型的砷化镓(GaAs)高电子迁移率晶体管(HEMT)的漏电流方程。弹道输运模型是基于玻耳兹曼输运方程和迁移率的扩展定义,即单位电场中载流子在沟道中以弹道轨迹运动的平均速度。对平均速度的求解没有采用...
关键词：漏电流 弹道效应 玻耳兹曼输运方程 高电子迁移率晶体管(HEMT) 基于电荷的模型 
双栅掺杂隔离肖特基MOSFET的解析模型被引量：1
《固体电子学研究与进展》2014年第4期303-308,共6页王睿 赵青云 朱兆旻 顾晓峰 
专用集成电路与系统国家重点实验室开放研究课题基金(11KF003);中央高校基本科研业务费专项资金(JUSRP51323B;JUSRP211A37);江苏高校优势学科建设工程(PAPD);江苏省六大人才高峰资助项目(DZXX-053)
通过考虑肖特基势垒降低效应求解三段连续的二维泊松方程,建立了双栅掺杂隔离肖特基MOSFET亚阈值区全沟道连续的电势模型。在该电势模型的基础上,推导了阈值电压模型和漏致势垒降低效应的表达式;研究了掺杂隔离区域不同掺杂浓度下的沟...
关键词：肖特基源漏 掺杂隔离 双栅金属氧化物半导体场效应管 阈值电压 短沟道效应 
短沟道双栅MOSFET的亚阈值特性分析被引量：3
《固体电子学研究与进展》2014年第2期101-105,共5页朱兆旻 王睿 赵青云 顾晓峰 
专用集成电路与系统国家重点实验室开放研究课题基金资助项目(11KF003);中央高校基本科研业务费专项资助项目(JUS-RP51323B,JUSRP211A37);江苏高校优势学科建设工程(PAPD);江苏省六大人才高峰资助项目(DZXX-053)
基于泊松方程和拉普拉斯方程,结合双栅MOSFET的边界条件,采用牛顿-拉夫逊迭代法推导了双栅MOSFET亚阈值区全沟道的电势解析解。在亚阈值区电流密度方程的基础上,提出了双栅MOSFET的一个亚阈值电流模型,并获得了亚阈值摆幅的解析公式。...
关键词：双栅金属-氧化物-半导体场效应管 亚阈值特性 摆幅 短沟道效应 
短沟道双栅MOSFET二维表面势解析模型被引量：3
《固体电子学研究与进展》2013年第4期323-328,共6页王睿 赵青云 朱兆旻 顾晓峰 
国家自然科学基金资助项目(11074280);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(JUSRP51323B,JUDCF12032);专用集成电路与系统国家重点实验室开放研究课题基金资助项目(11KF003);江苏高校优势学科建设工程(PAPD)及江苏省六大人才高峰资助项目(DZXX-053)
采用分解电势的方法求解二维泊松方程,建立了考虑电子准费米势的短沟道双栅MOSFET的二维表面势模型,并在其基础上导出了阈值电压、短沟道致阈值电压下降效应和漏极感应势垒降低效应的解析模型。研究了不同沟道长度、栅压和漏压情况下的...
关键词：双栅金属氧化物半导体场效应管 表面势 阈值电压 短沟道效应 解析模型 
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