亚阈值特性

作品数：18被引量：17H指数：3
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具有低漏电和优异亚阈值特性的p-GaN/GaN/AlGaN增强型p型MOSHFET
《半导体技术》2025年第3期241-247,共7页范继锋 王永强 张艺 李巍 雷鹏 
国家电网内蒙古分公司科技项目(2024-4-38)。
为了实现GaN基互补逻辑电路,基于GaN的p型半导体器件逐渐引起广泛关注。制备了基于p-GaN/GaN/Al_(0.29)Ga_(0.71)N异质结构的p型金属氧化物异质结场效应晶体管(MOSHFET),该异质结构通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术生长在蓝宝石基...
关键词：GaN 金属氧化物异质结场效应晶体管(MOSHFET) 二维空穴气(2DHG) 高温 增强型 亚阈值摆幅(SS) 关断态漏电流 阈值电压 
一种新型高性能FinFET的设计与特性分析
《半导体技术》2021年第1期53-58,共6页吴頔 汤乃云 
国家自然科学基金资助项目(52001194)。
针对CMOS器件随着技术节点的不断减小而产生的短沟道效应和漏电流较大等问题,设计了一种新型直肠形鳍式场效应晶体管(FinFET),并将该新型器件与传统的矩形结构和梯形结构的FinFET通过Sentaurus TCAD仿真软件进行对比。结果表明,当栅极...
关键词：短沟道效应 鳍式场效应晶体管(FinFET) 直肠形器件 亚阈值特性 TCAD仿真软件 
硅基环栅晶体管和隧穿晶体管研究进展综述
《中国集成电路》2020年第12期26-28,共3页李佳伟 韩可 龙尚林 
随着特征尺寸的不断减小,晶体管的性能面临着许多挑战。本文通过分析当前晶体管发展面临的问题,探究了晶体管的发展现状,并介绍了针对当前技术难点的环栅和隧穿晶体管的结构改进方案。
关键词：晶体管 硅基 环栅 隧穿 亚阈值特性 
高性能非平面沟道场效应晶体管
《应用科技》2018年第1期51-55,60,共6页张茂林 郭宇锋 李曼 陈静 田涛 童祎 
国家自然科学基金项目(61574081);江苏省自然科学基金项目(BK20141431);江苏省工业支撑计划项目(BE2013130)
半导体器件的高速化、集成化要求其特征尺寸不断缩小,不可避免地导致短沟道效应,从而使得器件性能退化。提出了一种非平面沟道晶体管,利用二维半导体器件仿真软件SILVACO对其阈值电压退化、亚阈值特性和衬底电流进行了研究,并通过能带...
关键词：短沟道效应 场效应晶体管 非平面沟道 阈值电压 亚阈值特性 
用于后栅工艺的SOI-FinFET选择性沟道缩小技术
《微纳电子技术》2015年第7期460-473,共14页李俊锋 马小龙 王防防 许淼 
在FinFET技术中Fin的宽度对器件性能有重要影响。较窄的Fin能够更好地抑制短沟道效应,改善器件亚阈值特性,但同时也导致源漏扩展区寄生电阻增大,驱动电流减小。提出了一种用于FinFET后栅工艺的选择性沟道缩小技术,即在去除多晶硅假栅后...
关键词：FinFET器件 SOI衬底 后栅工艺 选择性沟道缩小 亚阈值特性 
短沟道双栅MOSFET的亚阈值特性分析被引量：3
《固体电子学研究与进展》2014年第2期101-105,共5页朱兆旻 王睿 赵青云 顾晓峰 
专用集成电路与系统国家重点实验室开放研究课题基金资助项目(11KF003);中央高校基本科研业务费专项资助项目(JUS-RP51323B,JUSRP211A37);江苏高校优势学科建设工程(PAPD);江苏省六大人才高峰资助项目(DZXX-053)
基于泊松方程和拉普拉斯方程,结合双栅MOSFET的边界条件,采用牛顿-拉夫逊迭代法推导了双栅MOSFET亚阈值区全沟道的电势解析解。在亚阈值区电流密度方程的基础上,提出了双栅MOSFET的一个亚阈值电流模型,并获得了亚阈值摆幅的解析公式。...
关键词：双栅金属-氧化物-半导体场效应管 亚阈值特性 摆幅 短沟道效应 
一种基于MOS亚阈值特性的低功耗电压基准源被引量：7
《微电子学》2011年第5期654-657,共4页王会杰 王春华 何海珍 李湛 
湖南省科技计划项目(2010GK3052);湖南省长沙市科技计划重点项目(K0902012-11)
采用Chartered 0.18-μm CMOS工艺,设计了一种基于MOS亚阈值特性的全MOS结构电压基准源。它利用VT的正温度特性补偿VTH的负温度特性,以实现一个零温度系数的输出电压。为了实现较低的功耗,大部分MOS晶体管均工作在亚阈值区。仿真结果表...
关键词：CMOS 电压基准源 亚阈值 弱反型 强反型 
短沟道SiC MESFET亚阈值特性
《功能材料与器件学报》2008年第4期810-814,共5页韩茹 杨银堂 贾护军 
国防预研项目(No.51308030201);国防预研项目(No.51323040118)
基于器件物理分析的方法,结合沟道电势二维解析模型,分析比较了漏极引致势垒降低效应(DIBL effect)对6H-及4H-SiC MESFET沟道势垒,阈值电压,以及亚阈值电流的影响,并研究了其温度特性。研究表明DIBL效应的存在使SiC MESFET的沟道势垒最...
关键词：碳化硅MESFET 沟道电势 漏极引致势垒降低效应 阈值电压 
基于MOS管亚阈值特性的模拟译码器
《微电子学》2008年第3期415-419,共5页杨曙辉 仇玉林 
国家自然科学基金资助项目(60501007);北京市教委科技项目(KM20051772007);北京市委组织部优秀人才项目(0042D0500705);北京市中青年骨干教师项目(07660013)
利用MOS管亚阈值特性,构造了输入输出均为电流信号的模拟乘法器;经过变形,设计了模拟概率计算电路。以此为基础,通过晶体管级的模拟电路设计,构造了新型的网格码模拟译码器,给出了模拟译码器的译码性能。模拟结果表明,在速度一定的条件...
关键词：亚阈值 模拟译码器 网格码 概率译码 TURBO码 
基于CMOS亚阈值特性的低功耗温度传感器
《Journal of Semiconductors》2006年第9期1676-1680,共5页张洵 王鹏 靳东明 
针对片上系统测温及其过温保护问题，提出了一种基于CMOS亚阈值特性制造的低功耗温度传感器．CSMC0．6μm数模混合工艺仿真表明，其在-50～150℃的温度范围内，都能良好工作，且因为运放负反馈结构对电源电压具有较高的抑制，在2～6V的...
关键词：温度传感器 温度保护电路 电源电压抑止比 温度灵敏度 
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