SOI衬底

作品数：20被引量：17H指数：3
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基于SOI衬底的宽带低损耗声表面波滤波器研究被引量：1
《压电与声光》2022年第5期718-721,共4页苗湘 闫坤坤 黄歆 姜靖雯 黄小东 王文 
使用结构为42°Y-X LiTaO_(3)(600 nm)/SiO_(2)(500 nm)/Si的SOI衬底,通过抑制横向模式等优化设计,研制了单端谐振器和声表面波滤波器。经测试,谐振器的谐振频率为1.5 GHz,品质因数(Q)值高达4000;滤波器的中心频率为1370 MHz,插入损耗为...
关键词：SOI衬底 大带宽 横向模式 谐振器 声表面波滤波器 
基于SOI衬底和外延衬底的高速光电探测器研究被引量：1
《光通信技术》2018年第8期37-40,共4页王华强 李冲 刘巧莉 丰亚洁 何晓颖 郭霞 
国家重点研发项目(2017YFB0403602;2017YFF0104801;2016YFB0400603)资助
高速硅基光电探测器价格低廉且易于和光接收机集成,在短距离光通信中被广泛应用。对基于绝缘硅(SOI)和外延(EPI)两种不同衬底的互补金属氧化物(CMOS)工艺的光电探测器进行了理论模拟和实验研究,理论模拟和实验规律一致。实验表明,研制...
关键词：光电探测器 SOI/EPI衬底 互补金属氧化物工艺 小信号带宽 响应度 
改性离子注入高阻SOI衬底的共面波导特性研究
《电子元件与材料》2017年第6期70-74,共5页程实 常永伟 魏星 费璐 
因良好的射频性能,高阻SOI(High-Resistivity Silicon-on-Insulator,HR-SOI)被广泛应用于射频集成电路(RFICs)。通过提取共面波导传输线(Co-Plane Waveguide,CPW)的射频损耗来表征衬底材料的射频性能。高阻SOI衬底由于表面寄生电导效应(...
关键词：高阻SOI 共面波导传输线 射频损耗 表面寄生电导效应 硅离子注入 TR-SOI 
图形化Silicon-on-Insulator衬底上分子束外延生长可动GaN微光栅的研究
《光谱学与光谱分析》2017年第6期1946-1950,共5页吕凡敏 李佩 王永进 胡芳仁 朱闻真 
国家自然科学基金项目(61274121,61574080);江苏省自然科学基金项目(BK2012829);南京邮电大学人才引进项目(NY212007)资助
GaN材料作为第三代半导体材料,具有宽禁带、直接带隙、耐腐蚀等优点,是一种非常有前景的MOEMS材料。由于GaN的刻蚀目前尚未成熟,因此图形化外延生长法是一种较好的选择。本文基于SOI(silicon-on-insulator)基片,利用硅的微加工技术和图...
关键词：分子束外延 GAN 图形化SOI衬底 光栅 光致发光 
用于后栅工艺的SOI-FinFET选择性沟道缩小技术
《微纳电子技术》2015年第7期460-473,共14页李俊锋 马小龙 王防防 许淼 
在FinFET技术中Fin的宽度对器件性能有重要影响。较窄的Fin能够更好地抑制短沟道效应,改善器件亚阈值特性,但同时也导致源漏扩展区寄生电阻增大,驱动电流减小。提出了一种用于FinFET后栅工艺的选择性沟道缩小技术,即在去除多晶硅假栅后...
关键词：FinFET器件 SOI衬底 后栅工艺 选择性沟道缩小 亚阈值特性 
基于SOI衬底的谐振腔结构对锗直接带发光增强的研究
《韩山师范学院学报》2012年第3期29-33,共5页陈城钊 
基于散射矩阵法对SOI衬底的谐振腔结构进行了理论设计.采用超高真空化学气相沉积系统,在SOI基的Ge虚衬底上制备出高质量的Ge和Ge/SiGe多量子阱材料.室温下样品的光致发光谱表明SOI衬底的谐振腔结构对锗直接带发光起有效的强度增强作用,...
关键词：散射矩阵法 SOI 锗 光致发光谱 
一种新型SOI衬底上带有阳极辅助栅结构的SJ-LIGBT
《信息与电子工程》2012年第1期114-117,共4页关旭 吴琼乐 王泽华 柏文斌 管超 陈吕赟 
国家自然科学基金资助项目(60876053)
提出了一种新型的SOI衬底上的横向绝缘栅双极型晶体管(LIGBT)。该LIGBT在漂移区采用了超结(SJ)结构,并且在阳极采用了新颖的阳极辅助栅结构。这种器件由于采用了上述2种结构,相比于普通的LIGBT,它的正向压降更低,开关速度更快。文章对...
关键词：横向绝缘栅双极型晶体管 超结器件 阳极辅助栅 关断时间 
图形化SOI衬底上侧向外延生长GaN研究
《功能材料》2010年第7期1208-1210,共3页张波 陈静 魏星 武爱民 薛忠营 罗杰馨 王曦 张苗 
国家科技重大专项资助项目(2009ZX02038);上海市政府半导体照明基金资助项目(05d211006-3);上海市科学技术发展基金资助项目(08520740100)
采用MOCVD系统,在图形化的绝缘体上硅(SOI:silicon-on-insulator)衬底上侧向外延生长了GaN薄膜。利用SEM、TEM和Raman光谱对生长的GaN薄膜的质量进行了分析研究。研究发现,在GaN的侧向外延生长区域,侧向生长的GaN能够完全合并,GaN薄膜...
关键词：氮化镓 绝缘体上硅 侧向外延 
IBM展示基于极薄SOI衬底的22nm技术
《中国集成电路》2010年第1期9-9,共1页
IBM研究人员开发出了基于极薄SOI（ETSOI）的全耗尽CMOS技术，面向22nm及以下节点。在IEDM会议上，IBM Albany研发中心的Kangguo Cheng称该FD—ETSOI工艺已获得了25nm栅长，非常适合于低功耗应用。除了场效应管，IBM的工程师还在极薄SO...
关键词：CMOS技术 SOI衬底 IBM SOI工艺 研究人员 IEDM 研发中心 场效应管 
衬底制造商IceMos发布贯穿晶圆互连技术助器件设计者克服封装难题
《电子工业专用设备》2007年第12期63-64,共2页
据EE Times报道，北爱尔兰SOI衬底制造商IceMOS Technology Ltd日前开发了一种全新的贯穿晶圆互连技术（through-wafer interconnect technology）。该公司成立于2004年，专为MEMS和IC市场提供SOI（绝缘体上的硅）衬底。
关键词：SOI衬底 互连技术 制造商 晶圆 Technology 设计者 封装 器件 
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