柏文斌

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发文主题：电平位移表面电场高压LDMOS回路电阻紧贴更多>>
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一种通用的FPGA位元电路
《电子元器件应用》2012年第2期23-25,共3页李曼 张颉夫 柏文斌 李平 
针对目前不同类型FPGA要求的位元电路不一致现象,提出了一种通用的FPGA位元电路,该位元电路不仅适用于任意结构的反熔丝/熔丝FPGA,还可以单独的存储1和0,对反熔丝/熔丝熔通后的电阻特性也没有具体要求。
关键词：现场可编程逻辑门阵列 反熔丝 位元电路 逻辑模块 
一种新型SOI衬底上带有阳极辅助栅结构的SJ-LIGBT
《信息与电子工程》2012年第1期114-117,共4页关旭 吴琼乐 王泽华 柏文斌 管超 陈吕赟 
国家自然科学基金资助项目(60876053)
提出了一种新型的SOI衬底上的横向绝缘栅双极型晶体管(LIGBT)。该LIGBT在漂移区采用了超结(SJ)结构,并且在阳极采用了新颖的阳极辅助栅结构。这种器件由于采用了上述2种结构,相比于普通的LIGBT,它的正向压降更低,开关速度更快。文章对...
关键词：横向绝缘栅双极型晶体管 超结器件 阳极辅助栅 关断时间 
一种新型电流极限比较电路
《电子元器件应用》2011年第10期40-42,共3页柏文斌 李曼 
本文主要介绍一种新型电流极限比较电路。该电路提供过流,限制流过LDMOS上的电流,同时根据负载状况调节电流极限值,从而达到调整占空比的作用。分析了该新型电流极限比较电路的电路结构与工作原理。采用1μmCMOS工艺,通过HSPICE进行电...
关键词：电流极限 前沿闭锁 比较器 
基于中低压器件实现的高压负电平位移电路
《微电子学》2011年第5期645-648,共4页吴琼乐 管超 陈吕赟 柏文斌 王泽华 
国家科技重大02专项(2010ZX02201)
提出了一种新型高压负电平位移电路。该电路只采用中低压PMOS来实现高压电平位移,与传统的高压负电平位移电路相比,降低了工艺及器件难度。分析了该新型电平位移电路的电路结构与工作原理。采用1μm CMOS工艺,通过HSPICE进行电路仿真验...
关键词：中低压器件 高压负电平 位移电路 CMOS 
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