管超

作品数：3被引量：1H指数：1
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发文主题：电平位移电源电路表面电场高压LDMOS回路电阻更多>>
发文领域：电子电信经济管理自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《微电子学》《电子元器件应用》更多>>
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用于AC/DC开关电源芯片的片内电源电路被引量：1
《电子元器件应用》2012年第4期24-26,共3页管超 黎俐 杨毓俊 
本文设计了一种应用于AC/DC开关电源芯片的片内电源电路。该电路输入电压范围110V～220V,输出电压稳定在约5.8V。本电路仅在开关电源芯片中功率开关关断的半周期,通过高压JFET抽取外部电源电能给储能电容充电,来维持输出电压的稳定,具...
关键词：片内电源 AC/DC开关电源 低功耗 
一种新型SOI衬底上带有阳极辅助栅结构的SJ-LIGBT
《信息与电子工程》2012年第1期114-117,共4页关旭 吴琼乐 王泽华 柏文斌 管超 陈吕赟 
国家自然科学基金资助项目(60876053)
提出了一种新型的SOI衬底上的横向绝缘栅双极型晶体管(LIGBT)。该LIGBT在漂移区采用了超结(SJ)结构,并且在阳极采用了新颖的阳极辅助栅结构。这种器件由于采用了上述2种结构,相比于普通的LIGBT,它的正向压降更低,开关速度更快。文章对...
关键词：横向绝缘栅双极型晶体管 超结器件 阳极辅助栅 关断时间 
基于中低压器件实现的高压负电平位移电路
《微电子学》2011年第5期645-648,共4页吴琼乐 管超 陈吕赟 柏文斌 王泽华 
国家科技重大02专项(2010ZX02201)
提出了一种新型高压负电平位移电路。该电路只采用中低压PMOS来实现高压电平位移,与传统的高压负电平位移电路相比,降低了工艺及器件难度。分析了该新型电平位移电路的电路结构与工作原理。采用1μm CMOS工艺,通过HSPICE进行电路仿真验...
关键词：中低压器件 高压负电平 位移电路 CMOS 
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