常永伟

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供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文主题：SOI衬底SOI共面波导高阻离子注入更多>>
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改性离子注入高阻SOI衬底的共面波导特性研究
《电子元件与材料》2017年第6期70-74,共5页程实 常永伟 魏星 费璐 
因良好的射频性能,高阻SOI(High-Resistivity Silicon-on-Insulator,HR-SOI)被广泛应用于射频集成电路(RFICs)。通过提取共面波导传输线(Co-Plane Waveguide,CPW)的射频损耗来表征衬底材料的射频性能。高阻SOI衬底由于表面寄生电导效应(...
关键词：高阻SOI 共面波导传输线 射频损耗 表面寄生电导效应 硅离子注入 TR-SOI 
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